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本发明公开一种高分辨率电磁铁分析器、离子注入系统及离子束产生方法，属于半导体离子注入工艺技术领域，其中高分辨率电磁铁分析器包括有围绕带状离子束的行进路径的弓形磁轭结构，所述高分辨率电磁铁分析器的出口一端外设置有具有狭缝的分辨槽，用于使带状离...
该专利属于芯嵛半导体（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯嵛半导体（上海）有限公司授权不得商用。

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