【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体器件和包括该半导体器件的电子系统。
技术介绍
1、在需要数据存储的电子系统中，需要能够存储高容量数据的半导体器件。因此，已经研究了增加半导体器件的数据存储容量的方法。例如，作为增加半导体器件的数据存储容量的方法，已经提出了包括三维排列的存储单元而不是二维排列的存储单元的半导体器件。
技术实现思路
1、本公开的一方面提供了一种具有改善的电气特性和改善的集成度的半导体器件。
2、本公开的另一方面提供了一种电子系统，该电子系统包括具有改善的电气特性和改善的集成度的半导体器件。
3、根据本公开的一方面，提供一种半导体器件，该半导体器件包括：第一半导体结构，包括衬底、在衬底上的电路元件、包括电连接到电路元件的第一下互连结构和第二下互连结构的下互连结构、以及覆盖电路元件的外围区域绝缘层，第一下互连结构和第二下互连结构具有不同的电势；以及第二半导体结构，包括栅电极、与栅电极交替堆叠的层间绝缘层、接触插塞以及与层间绝缘层交替设置的接触插塞绝缘层，栅电极包括彼此间隔开...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第二半导体结构进一步包括：
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二半导体结构进一步包括穿过所述栅电极、在所述第一方向上延伸并布置在所述接触插塞周围的虚设沟道结构。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二半导体结构进一步包括在所述接触插塞之间沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸的隔
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第二半导体结构进一步包括：
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二半导体结构进一步包括穿过所述栅电极、在所述第一方向上延伸并布置在所述接触插塞周围的虚设沟道结构。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二半导体结构进一步包括在所述接触插塞之间沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸的隔离区域。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第二半导体结构进一步包括第四电容器结构...
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