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一种半导体器件包括：第一半导体结构，包括在第一衬底上的电路元件、连接到电路元件的下互连结构、以及覆盖电路元件的外围区域绝缘层；以及第二半导体结构，包括在第一衬底上的第二衬底、包括彼此间隔开并堆叠在第二衬底上的第一栅电极和第二栅电极的第一堆叠...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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