【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及一种半导体器件。更具体地，本专利技术构思涉及一种竖直存储器件。
技术介绍
1、在具有数据存储的电子系统中，期望可以存储高容量数据的高容量半导体器件。因此，已经研究了增加半导体器件的数据存储容量的方法。例如，已经提出了包括可以3维堆叠的存储单元的半导体器件。
2、随着在竖直方向上堆叠的存储单元的数量增加，用于形成存储单元的模具可能弯曲或塌陷，因此已经研究了防止模具弯曲的方法。
技术实现思路
1、示例实施例提供了一种具有改进特性的半导体器件。
2、根据本专利技术构思的一个方面，一种半导体器件包括：栅电极结构，包括多个栅电极，该多个栅电极在衬底上沿着基本上垂直于衬底的上表面的第一方向彼此间隔开，多个栅电极中的每个栅电极在基本上平行于衬底的上表面的第二方向上延伸；存储沟道结构，延伸穿过栅电极结构；多个第一划分图案，在基本上平行于衬底的上表面且与第二方向交叉的第三方向上彼此间隔开，栅电极结构插入在多个第一划分图案之中的两个相邻的第一划分图案之间，并且多个第一划分图案中的每个第一划分图案在第二方向上延伸；以及多个第一支撑图案，在第二方向上彼此间隔开。多个第一支撑图案沿着在第二方向上延伸的第一直线布置。多个第一划分图案中的对应的第一划分图案沿着第一直线延伸，使得对应的第一划分图案和多个第一支撑图案沿着第一直线布置。多个第一支撑图案中的每个第一支撑图案包括导电材料。
3、根据本专利技术构思的一个方面，一种半导体器件包括：栅电极结构，包括多个栅电
4、根据本专利技术构思的一个方面，一种半导体器件包括：衬底上的下电路图案；下电路图案上的公共源极板(csp)；栅电极结构，设置在csp上，其中，栅电极结构包括在基本上垂直于衬底的上表面的第一方向上彼此间隔开的第一栅电极、至少一个第二栅电极、以及第三栅电极，并且其中，第一栅电极、至少一个第二栅电极、以及第三栅电极中的每一个在基本上平行于衬底的上表面的第二方向上延伸；存储沟道结构，在csp上延伸穿过栅电极结构；一对第一划分图案，分别沿着栅电极结构的相对侧壁在第二方向上延伸，其中，该一对第一划分图案在基本上平行于衬底的上表面且与第二方向交叉的第三方向上彼此间隔开；多个第一支撑图案，在第二方向上彼此间隔开，其中，多个第一支撑图案沿着在第二方向上延伸的第一直线布置，其中，该一对第一划分图案中的对应的第一划分图案沿着第一直线延伸，并且其中，多个第一支撑图案中的每个第一支撑图案包括导电材料；第二划分图案，在第一划分图案之间部分地沿着第二方向延伸穿过栅电极结构；多个第二支撑图案，在第二方向上彼此间隔开，其中，第二划分图案和多个第二支撑图案沿着在第二方向上延伸的第二直线布置，并且其中，多个第二支撑图案中的每个第二支撑图案包括导电材料；以及第一接触插塞、至少一个第二接触插塞、以及第三接触插塞，分别接触第一栅电极的上表面、至少一个第二栅电极的上表面、以及第三栅电极的上表面。多个第一支撑图案和多个第二支撑图案中的每一个设置在与第三栅电极的高度基本上相同的高度处，并且包括与第三栅电极的材料基本上相同的导电材料。
5、在根据示例实施例的制造半导体器件的方法中，支撑层可以形成在模具上以防止模具塌陷，并且支撑层可以包括导电材料以用作栅电极。因此，可以简化半导体器件的制造。
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1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
4.根据权利要求1所述的半导体器件，
5.根据权利要求4所述的半导体器件，
6.根据权利要求4所述的半导体器件，
7.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括：
8.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括：
10.根据权利要求9所述的半导体器件，
11.一种半导体器件，包括：
12.根据权利要求11所述的半导体器件，
13.根据权利要求11所述的半导体器件，
14.根据权利要求11所述的半导体器件，还包括：
15.根据权利要求11所述的半导体器件，还包括：
16.根据权利要求11所述的半导体器件，还包括：
17.根据权利要求16所述的半导体器件，还包括：
18.一种半导体器件，包括：
19.根据权利要求18所述的半
20.根据权利要求18所述的半导体器件，其中：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
4.根据权利要求1所述的半导体器件，
5.根据权利要求4所述的半导体器件，
6.根据权利要求4所述的半导体器件，
7.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括：
8.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括：
10.根据权利要求9所述的半导体器件，
11.一...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩明薰，张世熙，金显浩，韩智勋，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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