【技术实现步骤摘要】
本公开的示例实施例涉及一种校正套刻(overlay)的方法、一种控制半导体工艺的方法以及一种半导体处理设备。
技术介绍
1、半导体工艺可以包括用于在基底上形成多个层的光工艺、蚀刻工艺和沉积工艺，并且可以在多个层中的每个上形成多个图案。随着多个图案的线宽和多个图案之间的间隔已经逐渐减小，已经提出了使用较短波长(例如极紫外(euv)光)的光工艺，并且还提出了使用具有较高数值孔径的光学系统对层的一部分进行光工艺以提高光工艺的分辨率的方法。实际形成的图案和形成在掩模上的图案的比率可能根据光学系统的数值孔径而不同，因此，用于有效地校正套刻误差的方法可能是必要的。
技术实现思路
1、本公开的示例实施例提供一种校正套刻的方法、一种控制半导体工艺的方法和一种半导体处理设备，其可以通过更准确地校正由通过具有不同数值孔径的光学系统照射的极紫外光所形成的多个图案之间的套刻误差来改善半导体工艺的良品率。
2、根据本公开的示例实施例，一种校正套刻的方法包括：通过经由第一光学系统将从第一掩模反射的极紫外光照射到第一层，在多个第一射击区域中形成多个第一图案；通过经由不同于所述第一光学系统的第二光学系统将从第二掩模反射的极紫外光照射到所述第一层上方的第二层，在多个第二射击区域中的每个中形成多个第二图案；将所述多个第二射击区域之中的一对第二射击区域与所述多个第一射击区域中的每个第一射击区域进行匹配；以及生成用于校正所述多个第二射击区域中的每个中的所述多个第二图案的套刻误差的第一校正参数和第二校正参数，其
3、根据本公开的示例实施例，一种控制半导体工艺的方法包括：形成顺序堆叠在晶圆的至少部分区域上的第一层和第二层；基于包括在所述第一层中的多个第一图案，生成用于校正包括在所述第二层中的多个第二图案的套刻误差的校正参数；以及基于所述校正参数控制用于形成所述多个第二图案的光刻工艺，其中，通过对包括在所述第一层中的多个第一区域执行的第一光刻工艺来形成所述多个第一图案，并且通过对包括在所述第二层中的多个第二区域执行的第二光刻工艺来形成所述多个第二图案，其中，所述多个第二区域中的彼此相邻的两个或更多个第二区域设置在所述多个第一区域中的每个上，并且其中，基于被共同应用于所述两个或更多个第二区域的第一校正参数和被单独应用于所述两个或更多个第二区域的第二校正参数，来控制所述第二光刻工艺。
4、根据本公开的示例实施例，一种半导体处理设备包括：光源，被配置为输出极紫外光；光学系统，被配置为从掩模反射由所述光源输出的所述极紫外光，并且允许光入射到其上顺序堆叠有第一层和第二层的晶圆；控制单元，被配置为控制所述光源和所述光学系统；以及测量单元，被配置为测量所述第一层和所述第二层的套刻误差，其中，所述第一层包括形成在多个第一射击区域中的每个中的多个第一图案，并且所述控制单元允许所述极紫外光入射到所述第二层的多个第二射击区域中的每个并形成多个第二图案，并且其中，所述测量单元将所述多个第二射击区域之中的一对第二射击区域与所述多个第一射击区域中的每个进行匹配，生成用于基于所述多个第一射击区域中的每个而校正所述一对第二射击区域的套刻误差的第一校正参数，并且生成用于校正所述一对第二射击区域之间的套刻误差的第二校正参数。
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1.一种校正套刻的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，
3.根据权利要求2所述的方法，其中，N为4并且M为8。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一光学系统的数值孔径小于所述第二光学系统的数值孔径。
5.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述一对第二射击区域布置在平行于晶圆的上表面的第一方向上。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，应用于所述一对第二射击区域中的一个第二射击区域的所述第一校正参数与应用于所述一对第二射击区域中的另一个第二射击区域的所述第一校正参数相同。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，应用于所述一对第二射击区域中的一个第二射击区域的所述第二校正参数与应用于所述一对第二射击区域中的另一个第二射击区域的所述第二校正参数不同。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一校正参数的偏差大于所述第二校正参数的偏差。
10.根据权利要求1所述的方法，
11.根据权利要求10所述的方法
12.根据权利要求1所述的方法，其中，在使用所述第一校正参数校正所述多个第二射击区域中的每个的套刻误差之后，使用所述第二校正参数校正所述多个第二射击区域中的每个的套刻误差。
13.一种控制半导体工艺的方法，所述方法包括：
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述多个第一区域中的每个是在所述第一光刻工艺中光一次照射到的单元区域，并且所述多个第二区域中的每个是在所述第二光刻工艺中光一次照射到的单元区域。
15.根据权利要求13所述的方法，其中，所述多个第一区域中的每个的面积大于所述多个第二区域中的每个的面积。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述多个第一区域中的每个的面积是所述多个第二区域中的每个的面积的两倍。
17.一种半导体处理设备，所述半导体处理设备包括：
18.根据权利要求17所述的半导体处理设备，其中，所述一对第二射击区域布置在平行于所述晶圆的上表面的第一方向上。
19.根据权利要求17所述的半导体处理设备，
20.根据权利要求17所述的半导体处理设备，所述半导体处理设备还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种校正套刻的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，
3.根据权利要求2所述的方法，其中，n为4并且m为8。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一光学系统的数值孔径小于所述第二光学系统的数值孔径。
5.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述一对第二射击区域布置在平行于晶圆的上表面的第一方向上。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，应用于所述一对第二射击区域中的一个第二射击区域的所述第一校正参数与应用于所述一对第二射击区域中的另一个第二射击区域的所述第一校正参数相同。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，应用于所述一对第二射击区域中的一个第二射击区域的所述第二校正参数与应用于所述一对第二射击区域中的另一个第二射击区域的所述第二校正参数不同。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一校正参数的偏差大于所述第二校正参数的偏差。
10.根据权利要求1所述的方法，
11.根据权利要求10所述的方法，其中，通过将设置在所述一对第二射击区域中的每个中的所述多个第二套刻密钥的坐标值转换为与所述一对第二射击...
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