【技术实现步骤摘要】
本公开的示例实施例涉及一种校正套刻(overlay)的方法、一种控制半导体工艺的方法以及一种半导体处理设备。
技术介绍
1、半导体工艺可以包括用于在基底上形成多个层的光工艺、蚀刻工艺和沉积工艺，并且可以在多个层中的每个上形成多个图案。随着多个图案的线宽和多个图案之间的间隔已经逐渐减小，已经提出了使用较短波长(例如极紫外(euv)光)的光工艺，并且还提出了使用具有较高数值孔径的光学系统对层的一部分进行光工艺以提高光工艺的分辨率的方法。实际形成的图案和形成在掩模上的图案的比率可能根据光学系统的数值孔径而不同，因此，用于有效地校正套刻误差的方法可能是必要的。
技术实现思路
1、本公开的示例实施例提供一种校正套刻的方法、一种控制半导体工艺的方法和一种半导体处理设备，其可以通过更准确地校正由通过具有不同数值孔径的光学系统照射的极紫外光所形成的多个图案之间的套刻误差来改善半导体工艺的良品率。
2、根据本公开的示例实施例，一种校正套刻的方法包括：通过经由第一光学系统将从第一掩模反射的极紫外光...
【技术保护点】
1.一种校正套刻的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，
3.根据权利要求2所述的方法，其中，N为4并且M为8。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一光学系统的数值孔径小于所述第二光学系统的数值孔径。
5.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述一对第二射击区域布置在平行于晶圆的上表面的第一方向上。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，应用于所述一对第二射击区域中的一个第二射击区域的所述第一校正参数与应用于所述一对第二射击区域中的另...
【技术特征摘要】
1.一种校正套刻的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，
3.根据权利要求2所述的方法，其中，n为4并且m为8。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一光学系统的数值孔径小于所述第二光学系统的数值孔径。
5.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述一对第二射击区域布置在平行于晶圆的上表面的第一方向上。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，应用于所述一对第二射击区域中的一个第二射击区域的所述第一校正参数与应用于所述一对第二射击区域中的另一个第二射击区域的所述第一校正参数相同。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，应用于所述一对第二射击区域中的一个第二射击区域的所述第二校正参数与应用于所述一对第二射击区域中的另一个第二射击区域的所述第二校正参数不同。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一校正参数的偏差大于所述第二校正参数的偏差。
10.根据权利要求1所述的方法，
11.根据权利要求10所述的方法，其中，通过将设置在所述一对第二射击区域中的每个中的所述多个第二套刻密钥的坐标值转换为与所述一对第二射击...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。