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提供了校正套刻和控制半导体工艺的方法以及半导体处理设备。所述校正套刻的方法包括：通过将从第一掩模反射的极紫外光照射到第一层而在多个第一射击区域中形成第一图案；通过将从第二掩模反射的极紫外光照射到第二层而在多个第二射击区域中的每个中形成第二图...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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