一种降冰片基类ArF光刻胶树脂单体及其制备方法与应用技术

本发明专利技术公开了一种降冰片基类ArF光刻胶树脂单体及其制备方法与应用，所述ArF光刻胶树脂单体的制备方法包括以下步骤：(1)将纳迪克酸酐与1‑乙基环戊醇在缩合剂及溶剂的存在下反应，得到中间体1；(2)将中间体1与甲酸、双氧水在溶剂的存在下反应，得到中间体2；(3)将中间体2与甲基丙烯酰氯在缚酸剂、阻聚剂及溶剂的存在下，进行酯化反应，得到所述降冰片基类ArF光刻胶树脂单体。由上述方法制备得到的降冰片基类化合物可作为ArF光刻胶树脂单体用于制备ArF光刻胶，制备得到的ArF光刻胶具有优异的抗腐蚀性能，有利于提高半导体芯片制备的良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光刻胶及有机合成，具体涉及一种降冰片基类arf光刻胶树脂单体及其制备方法与应用。

技术介绍

1、光刻技术是指利用光刻胶在可见光、紫外线、电子束等作用下的化学敏感性，通过曝光、显影、刻蚀等工艺过程，将设计在掩膜版上的图形转移到衬底上的图形微细加工技术。光刻胶是光刻技术中涉及的最关键的功能性化学材料，也在集成电路芯片制造工艺方面占据特殊地位，其主要成分是树脂、光产酸剂(photoacidgenerator，pag)、以及相应的添加剂和溶剂。随着集成电路的集成度越高，对光刻胶的要求也越高。

2、光刻胶在印制各层电路图形到硅片及其它薄膜层上时需把图形保留下来，并把印有电路图形的光刻胶连同硅片一起置入化学刻蚀液中，进行很多次的湿法腐蚀。只有当光刻胶具有很强的抗蚀性，才能保证刻蚀液按照所希望的选择比刻蚀出曝光所得图形，更好地体现器件性能。因此耐化学腐蚀性也是评价光刻胶的重要指标之一。而树脂作为光刻胶的主要成分之一，也是决定光刻胶耐腐性的关键成分。

技术实现思路

1、本专利技术要解决的技术问题是提本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种降冰片基类ArF光刻胶树脂单体，其特征在于，具有如下结构：

2.一种权利要求1所述的降冰片基类ArF光刻胶树脂单体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在惰性气氛下，

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，将碱试剂与部分溶剂混合并升温至55-65℃，然后滴加1-乙基环戊醇，滴加过程中使体系温度维持在55-65℃，滴加完后进行升温回流1-3h，再降温至40-60℃后滴加纳迪克酸酐溶液，滴加过程中使体系的温度维持在40-60℃，滴加完后在40-50℃搅拌10-20h，得到所述中间体1；所述纳迪克酸酐溶液由纳迪克酸酐溶于另一部分溶剂中得到。...

【技术特征摘要】

1.一种降冰片基类arf光刻胶树脂单体，其特征在于，具有如下结构：

2.一种权利要求1所述的降冰片基类arf光刻胶树脂单体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在惰性气氛下，

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，将碱试剂与部分溶剂混合并升温至55-65℃，然后滴加1-乙基环戊醇，滴加过程中使体系温度维持在55-65℃，滴加完后进行升温回流1-3h，再降温至40-60℃后滴加纳迪克酸酐溶液，滴加过程中使体系的温度维持在40-60℃，滴加完后在40-50℃搅拌10-20h，得到所述中间体1；所述纳迪克酸酐溶液由纳迪克酸酐溶于另一部分溶剂中得到。

4.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述碱试剂为氢化钠和/或氢氧化钠；所述溶剂为四氢呋喃和/或二氯甲烷。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘颖果，陈华成，
申请(专利权)人：卓芯杰苏州半导体材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：