一种不易裂片失效的整流二极管封装工艺制造技术

本发明专利技术涉及二极管封装技术领域，且公开了一种不易裂片失效的整流二极管封装工艺，包括以下具体步骤：整流二极管的焊接材料匹配标准：引线冒头直径不小于芯片最大对角线，对应面积误差率小于0.2%；用石墨舟排好引线，装上冒头、芯片、焊片作底模，将石墨舟排好引线的另一模刷上助焊剂作上模；该不易裂片失效的整流二极管封装工艺，通过控制冒头与芯片之间尺寸配合，以降低对应面积的误差率，避免偏心，提高焊接质量，同时控制模面表面的温度，并控制合模时的压力和冲击力，从而提高二极管封装合模的效果，避免二极管在合模过程中出现裂纹，从而防止二极管在使用过程中出现局部高温击穿破损的现象，提高二极管的使用性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及二极管封装，具体为一种不易裂片失效的整流二极管封装工艺。

技术介绍

1、最大整流电流和最高反向峰值工作电压是整流二极管的一个重要参数，因为在实际使用中往往需要二极管供给一个较大的电流，当pn结上加以正弦交变电压时，在pn结上有一定的功率消耗：在负半周时，反向漏电流会引起功率消耗；在正半周时整流电流会引起功率消耗，二极管的总功率消耗为两者之和。

2、一般情况下反向漏电流很小，反向漏电流引起的功率消耗可以忽略不计，但是，当pn结存在工艺缺陷时，反向漏电流引起的功率消耗在结温或环境温度比较高时，这种功率消耗不但不能忽略，还由于产品损伤缺陷引起的漏电流是局部集中极小的缺陷处，因而高反向电压和高密度电流的局部功率消耗所产生的局部温升很高，从而导致局部击穿。

3、焊接偏心问题影响产品性能，工艺封装合模工艺芯片损伤也会引起，主要表现在，封装时合力产生的微小裂纹，电极接触不均衡是一个很大的热阻，整流电流在芯片pn结内部的功率消耗所产生的热量，必须有效地导出外界空间，如果芯片厚度很厚和电极接触不良，其热阻就很大，若功率消耗所产生的热量不本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种不易裂片失效的整流二极管封装工艺，其特征在于，包括以下具体步骤：

2.根据权利要求1所述的不易裂片失效的整流二极管封装工艺，其中，所述底模的选用规格为：

3.根据权利要求1所述的不易裂片失效的整流二极管封装工艺，其中，所述产品焊接承受拉力不小于2.5kg。

4.根据权利要求1所述的不易裂片失效的整流二极管封装工艺，其中，所述上下模合模封装时，合模压力为8-10MPa。

5.根据权利要求1所述的不易裂片失效的整流二极管封装工艺，其中，所述上下模合模封装时，芯片封装选用的塑封料的膨胀系数不高于2.3×10-6/℃。</p>

6.根据...

【技术特征摘要】

1.一种不易裂片失效的整流二极管封装工艺，其特征在于，包括以下具体步骤：

2.根据权利要求1所述的不易裂片失效的整流二极管封装工艺，其中，所述底模的选用规格为：

3.根据权利要求1所述的不易裂片失效的整流二极管封装工艺，其中，所述产品焊接承受拉力不小于2.5kg。

4.根据权利要求1所述的不易裂片失效的整流二极管封装工艺，其中，所述上下模合模封装时，合模压力为8-10mpa。

5.根据权利要求1所述的不易裂片失效的整流二极管封装工艺，其中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙孝兵，
申请(专利权)人：连云港瑞而盛电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：