一种分段式反熔丝编程方法、装置及编程器制造方法及图纸

本发明专利技术适用于计算机技术领域，提供了一种分段式反熔丝编程方法、装置及编程器，所述方法包括下述步骤：根据预设的寻址函数，计算待编程反熔丝字节存储单元的段地址和偏移量，获取待编程反熔丝字节存储单元的逻辑地址；对所述逻辑地址对应的所述待编程反熔丝字节存储单元进行反熔丝编程，连续反熔丝编程的两个字节存储单元位于不同的段。本发明专利技术通过增加寻址函数，将传统的顺序字节存储单元地址依次编程的方式，通过改变编程的次序，使连续被编程的两个字节存储单元地址按一定间隔错开，从而避免了对相邻字节存储单元连续编程而产生持续热量而影响周围存储单元，有效地提高反熔丝编程的成功率和可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于计算机
，尤其涉及一种分段式反熔丝编程方法、装置及编程O
技术介绍
反熔丝技术是相对于熔丝技术而言的。熔丝技术广泛用于各种可编程逻辑器件 中，例如，可编程逻辑阵列PAL，当PAL在编程器被烧录之后，原先短接的点断开。反熔丝技 术刚好相反，原来断开的点在烧录之后，短接上了，这种短接是永久性的，所以编程中器件 的电流和热量有明显增加。反熔丝技术的特点，决定了反熔丝单元较小，占用芯片面积小， 工作频率高。目前，通过反熔丝技术对可编程只读存储器PROM进行编程时，采用的是对连续字 节存储单元进行顺序地址编程的方法，以足够的能量击穿氧化层从而形成互联通路，完成 编程，这是一个长时间的过程；对于大于8Mb的大容量PROM进行反熔丝编程则需要更长 的时间，这样对存储芯片编程时造成一定的发热量，由于器件封装的原因，热量无法迅速散 发，长时间下会影响对周围的存储单元，降低稳定性。另外，为提高存储单元的可靠性，降低 存储器面积，要求最大限度减少存储单元可编程余量，这就需要使用位(bit)编程方法对 存储器进行编程。位(bit)编程方法就是每次只对存储器的某个字节(byte)的其中一位 (bit)编程，跟字节编程相比，编程同样的存储量，位(bit)编程方式需要8倍以上时间。在 如此高电压、大电流的长时间编程中，如果采用连续单元顺序地址编程，将导致某些存储单 元电路由于周围持续产生热量而无法编程或者可靠性降低，甚至烧断金属连线。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的在于提供一种分段式反熔丝编程方法，旨在解决由于采用连 续单元顺序地址编程，导致存储单元电路由于周围持续大量发热而无法编程、可靠性降低， 甚至烧断金属连线的问题。本专利技术实施例是这样实现的，一种分段式反熔丝编程方法，所述方法包括下述步 骤根据预设的寻址函数，计算待编程反熔丝字节存储单元的段地址和偏移量，获取 待编程反熔丝字节存储单元的逻辑地址；对所述逻辑地址对应的所述待编程反熔丝字节存储单元进行反熔丝编程，连续反 熔丝编程的两个字节存储单元位于不同的段。本专利技术实施例的另一目的在于提供一种分段式反熔丝编程装置，所述装置包括逻辑地址获取单元，用于根据预设的寻址函数，计算待编程反熔丝字节存储单元 的段地址和偏移量，获取待编程反熔丝字节存储单元的逻辑地址；以及反熔丝编程单元，用于对所述逻辑地址对应的所述待编程反熔丝字节存储单元进 行反熔丝编程，连续反熔丝编程的两个字节存储单元位于不同的段。3本专利技术实施例的另一目的在于提供一种包含分段式反熔丝编程装置的编程器，所 述反熔丝编程装置包括逻辑地址获取单元，用于根据预设的寻址函数，计算待编程反熔丝字节存储单元 的段地址和偏移量，获取待编程反熔丝字节存储单元的逻辑地址；以及反熔丝编程单元，用于对所述逻辑地址对应的所述待编程反熔丝字节存储单元进 行反熔丝编程，连续反熔丝编程的两个字节存储单元位于不同的段。本专利技术实施例通过增加寻址函数将连续编程的两个反熔丝字节存储单元分布到 不同的段，实现对不同分段的存储单元进行反熔丝编程，从而避免了由于对相邻存储单元 连续长时间编程产生大热量而烧坏邻近存储单元，有效地提高反熔丝编程的成功率和可靠 性。附图说明图1是本专利技术第一实施例提供的分段式反熔丝编程方法的实现流程图；图2是本专利技术第二实施例提供的分段式反熔丝编程装置的结构图。具体实施例方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对 本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并 不用于限定本专利技术。本专利技术实施例通过增加寻址函数将顺序编程改成按一定地址间隔编程，使两个连 续反熔丝字节存储单元分布在不同的段，实现对字节存储单元进行分段式反熔丝编程，从 而避免了由于对相邻字节存储单元连续长时间编程产生热量而影响邻近存储单元，有效地 提高反熔丝编程的成功率和可靠性。本专利技术实施例提供了一种分段式反熔丝编程方法，所述方法包括下述步骤根据预设的寻址函数，计算待编程反熔丝字节存储单元的段地址和偏移量，获取 待编程反熔丝字节存储单元的逻辑地址；对所述逻辑地址对应的所述待编程反熔丝字节存储单元进行反熔丝编程，连续反 熔丝编程的两个字节存储单元位于不同的段。本专利技术实施例还提供了一种分段式反熔丝编程装置，所述装置包括逻辑地址获取单元，用于根据预设的寻址函数，计算待编程反熔丝字节存储单元 的段地址和偏移量，获取待编程反熔丝字节存储单元的逻辑地址；以及反熔丝编程单元，用于对所述逻辑地址对应的所述待编程反熔丝字节存储单元进 行反熔丝编程，连续反熔丝编程的两个字节存储单元位于不同的段。本专利技术实施例还提供了 一种包含分段式反熔丝编程装置的编程器，所述反熔丝编 程装置包括逻辑地址获取单元，用于根据预设的寻址函数，计算待编程反熔丝字节存储单元 的段地址和偏移量，获取待编程反熔丝字节存储单元的逻辑地址；以及反熔丝编程单元，用于对所述逻辑地址对应的所述待编程反熔丝字节存储单元进 行反熔丝编程，连续反熔丝编程的两个字节存储单元位于不同的段。本专利技术实施例通过增加寻址函数将连续编程的两个反熔丝字节存储单元分布到 不同的段，实现对不同分段的存储单元进行反熔丝编程，从而避免了由于对相邻存储单元 连续长时间编程产生热量而影响邻近存储单元，有效地提高反熔丝编程的成功率和可靠 性。以下结合具体实施例对本专利技术的具体实现进行详细描述实施例一图1示出了本专利技术第一实施例提供的分段式反熔丝编程方法的实现流程，详述如 下在步骤SlOl中，根据预设的寻址函数，计算待编程反熔丝字节存储单元的段地址 和偏移量，获取待编程反熔丝字节存储单元的逻辑地址；在本专利技术实施例中，需要预先配置反熔丝编程的寻址函数，在配置反熔丝编程的 寻址函数时，应选择能全面覆盖所有存储单元的函数，即每个位地址都能被覆盖。例如，使 用函数ζ = a*x+y作为寻址函数，其中a为常数，表示两次编程地址之间的间隔，也就是段 的大小；χ表明在哪一个段进行编程；y表示段内偏移量，其取值范围为0到a-Ι之间。第一 次编程时，χ = 0，y = 0，z = 0 接着第二次 χ = l，y = 0，z = a，第三次 ζ = 2a，...，...， X取值遍历所有段后，偏移量y加1，X又从O开始取值，Z依次等于0, a, 2a......l，a+l，2a+l......2，a+2，2a+2......如此依次循环，直到ζ实现相应存储器单元的全覆盖。在步骤S102中，对逻辑地址对应的待编程反熔丝字节存储单元进行反熔丝编程， 连续反熔丝编程的两个字节存储单元位于不同的段。在本专利技术实施中，在编程初始，编程写入成功率最高的情况下，连续写入一个字节 的编程脉冲宽度因工艺的原因会有所差别。所以，先用芯片手册推荐的最短脉冲宽度T写 入，然后读出，比较期望值与实际编程值，如果不一致，则写入失败，增大编程脉冲宽度T的 值，再次写入，再读出，如此循环，直到成功写入。如果编程脉冲宽度T超过芯片最大有效编 程时间，则通知编程器写入失败，编程操作中止。本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分步骤是可以 通过程序来指令相关的硬件来完成，所述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中， 所述的存储介质，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种分段式反熔丝编程方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：根据预设的寻址函数，计算待编程反熔丝字节存储单元的段地址和偏移量，获取待编程反熔丝字节存储单元的逻辑地址；对所述逻辑地址对应的所述待编程反熔丝字节存储单元进行反熔丝编程，连续反熔丝编程的两个字节存储单元位于不同的段。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘云龙，谭文堂，黄笔锋，邱嘉敏，刘波，彭锦军，张灯，
申请(专利权)人：深圳市国微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]