【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光芯片双端面对焦方法的,特别涉及一种光芯片端面缺陷检测的双端面同步自动对焦方法。
技术介绍
1、随着国内自主芯片产业的发展,对半导体光电芯片的需求越来越大,同时对光电芯片的质量要求也越来越高,对半导体光电的各种表面缺陷检测精度要求也逐渐提高。由于半导体光芯片的体积比较小,需要采用高倍的显微镜来实现图像的采集,而高倍的显微镜景深很小,无法做到机械调试进行有效对焦,所以需要采用自动对焦的方式完成。
2、现有的自动对焦技术分为采用激光测距和拍照计算两种方式,大部分都是采用基于激光测距的方式,这种方式的自动对焦对机械结构安装尺寸空间较大要求,而半导体光芯片尺寸较小,通常在几十到几百微米之间,所以无法采用这种方式。现有常用的基于拍照方式的自动对焦技术,大部分采用大范围等间距的搜索方式进行自动对焦,且通常只采用单面对焦的方式,无法实现双面并行自动对焦,这种方式会造成自动对焦比较耗时,无法满足市场对高速高精度的需求,现有的基于拍照的自动对焦技术,只有单一的基于背景光或者无背景光的对焦模式,无法适应多场景复杂环境下的自动对焦应
...【技术保护点】
1.一种光芯片端面缺陷检测的双端面同步自动对焦方法,其特征在于:所述光芯片端面缺陷检测的双端面同步自动对焦方法包括如下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种光芯片端面缺陷检测的双端面同步自动对焦方法,其特征在于:步骤S1中加载的配置文件包括对焦位置、相机曝光、对焦范围以及初次对焦的阈值。
3.根据权利要求1所述的一种光芯片端面缺陷检测的双端面同步自动对焦方法,其特征在于:步骤S2中配置相机各项数值包括前后端面相机的曝光和增益。
4.根据权利要求1所述的一种光芯片端面缺陷检测的双端面同步自动对焦方法,其特征在于:该方法使用的芯片端面检测
...【技术特征摘要】
1.一种光芯片端面缺陷检测的双端面同步自动对焦方法,其特征在于:所述光芯片端面缺陷检测的双端面同步自动对焦方法包括如下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种光芯片端面缺陷检测的双端面同步自动对焦方法,其特征在于:步骤s1中加载的配置文件包括对焦位置、相机曝光、对焦范围以及初次对焦的阈值。
3.根据权利要求1所述的一种光芯片端面缺陷检测的双端面同步自动对焦方法,其特征在于:步骤s2中配置相机各项数值包括前后端面相机的曝光和增益。
4.根据权利要求1所述的一种光芯片端面缺陷检测的双端面同步自动对焦方法,其特征在于:该方法使用...
【专利技术属性】
技术研发人员:关力,王建波,肖体刚,宋斌杰,李峰,钟函君,
申请(专利权)人:珠海市申科谱工业科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。