【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体清洗，具体涉及一种光刻胶清洗液。
技术介绍
1、光刻是一种广泛使用的技术，用于使用光或其他电磁辐射在基板上形成所需的图像图案。随着光刻技术的迭代更新，器件结构的复杂精细化，往往同道工序中即会用到正胶也会用到负胶。行业中所公知的去胶清洗液往往对正胶去除效果好的去除负胶有缺陷，对负胶清洗效果显著的对正胶去除有残留，二者不可兼得，导致要不停地切换药液，使得工序复杂，工艺成本高。
2、同时现有去除光刻胶的清洗液中，主要由强碱性物质或含卤素原子的化合物组成。在这类清洗液中由于强碱物质中游离的基团-oh和卤素对金属基材或者底层介质层材料均有一定的腐蚀作用，有时还会因为碱性过强造成正面电路无法得到有效保护。
3、针对现有技术存在的这些不同程度的问题，有待开发一款同时适用于正胶和负胶的光刻胶清洗液，且对铜、铝、钛、氮化钛等金属层及二氧化硅low-k介质层、氧化铝、氧化锆或氧化铪等high-k介质层均有较高的保护性能。
技术实现思路
1、本专利技术目的之一在于提供了一种光刻胶清洗液，能够同时适用于正胶和负胶的光刻胶的去除。
2、本专利技术目的之二在于提供一种光刻胶去膜液，能够对铜、铝、钛、氮化钛等金属层及二氧化硅low-k介质层和氧化铝、氧化锆或氧化铪等high-k介质层有较高的保护性能。
3、为实现上述目的，本专利技术技术方案提供一种光刻胶清洗液，其含有pgmea、饱和环醚、羧酸类高分子鳌合剂、添加剂和去离子水。pgmea的含量为
4、其中，所述的饱和环醚为二氧五环、四氢呋喃、四氢吡喃、二氧六环中的至少一种。
5、所述的羧酸类高分子鳌合剂为马来酰亚胺单酰胺-dtpa。
6、所述的添加剂为氮杂冠醚，取自氮杂-18-冠醚-6、氮杂-15-冠醚-5、氮杂-12-冠醚-4、氮杂-10-冠醚-3中的至少一种。
7、本专利技术的技术方案中，pgmea和饱和环醚协同作用，使光阻膨胀泡发剥离，添加剂的加入增强了药液对光刻胶的浸润性和溶解性，从而进一步提升了对光刻胶的清洗效果。同时，氮杂冠醚与羧酸类高分子鳌合剂协同作用络合金属阳离子或正离子，抑制了光刻胶清洗液对底层金属及介质层材料的腐蚀，同时对晶圆表面的金属沾污有极好的清洗效果。
8、本专利技术的有益效果
9、本专利技术的优点和有益效果在于：在本专利技术中，光刻胶清洗液通过pgmea和饱和环醚的双重配合解决了对正胶负胶同时适用的难题，引入氮杂冠醚，增强了药液的浸润性和溶解性，从而使其清洗效果加强，同时，与马来酰亚胺单酰胺-dtpa协同作用在对底层金属材料及low-k、high-k介质层的防腐蚀方面及晶圆表面金属沾污去除方面获得显而易见的效果。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种光刻胶清洗液，其特征在于，所述的光刻胶清洗液含PGMEA、饱和环醚、羧酸类高分子鳌合剂、添加剂和去离子水；PGMEA的含量为60％～80％、饱和环醚的含量为5％～10％、羧酸类高分子鳌合剂的含量为1％-3％、添加剂的含量为0.1％-1％，余量为去离子水。
2.根据权利要求1所述的光刻胶清洗液，其特征在于，所述的饱和环醚为二氧五环、四氢呋喃、四氢吡喃、二氧六环中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的光刻胶清洗液，其特征在于，所述的羧酸类高分子鳌合剂为马来酰亚胺单酰胺-DTPA。
4.根据权利要求1所述的光刻胶清洗液，其特征在于，所述的添加剂为氮杂冠醚，取自氮杂-18-冠醚-6、氮杂-15-冠醚-5、氮杂-12-冠醚-4、氮杂-10-冠醚-3中的至少一种。
【技术特征摘要】
1.一种光刻胶清洗液，其特征在于，所述的光刻胶清洗液含pgmea、饱和环醚、羧酸类高分子鳌合剂、添加剂和去离子水；pgmea的含量为60％～80％、饱和环醚的含量为5％～10％、羧酸类高分子鳌合剂的含量为1％-3％、添加剂的含量为0.1％-1％，余量为去离子水。
2.根据权利要求1所述的光刻胶清洗液，其特征在于，所述的饱和环醚为二氧五环、...
【专利技术属性】
技术研发人员：万杨阳，尹印，贺兆波，路明，张庭，余迪，彭浩，臧洋，孟牧麟，王亮，谢建，吴政，马瑞，
申请(专利权)人：湖北兴福电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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