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【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及流量控制,具体涉及一种晶圆清洗过程中吹风气体流量控制方法及系统。
技术介绍
1、晶圆清洗是半导体制造过程中的一个重要环节,用于确保晶圆表面的洁净度,晶圆清洗行业当前面临着日益严格的技术要求与环保压力,随着半导体制造技术的不断发展,晶圆上集成电路的线宽和间距持续缩小,对晶圆清洗的洁净度要求不断提高。为适应这一挑战,行业迎来了高度自动化的趋势,采用先进的清洗设备和系统,以提高生产效率并减少人为错误。同时,行业对环保问题的关注逐渐增强,清洗过程中的化学物质使用、水资源消耗以及废水处理等方面都受到重视,推动行业朝着更加环保可持续的方向发展。
2、目前常见的利用ipa混液进行蒸汽干燥的时候,通常需要使用较长的处理时间,其会导致芯片的生产效率降低,可以将传统的环境蒸汽替换成吹出式蒸汽,但是吹出式蒸汽常见的是无论晶圆表面的ipa混液的多少,直接采用统一的吹风口半径大小对晶圆上的ipa混液进行吹出式蒸汽,其存在不能根据晶圆表面的ipa混液的多少,来调节进行吹出式蒸汽时的吹风口半径大小的问题,会导致当ipa混液在晶圆表面分布较多时,需要较长的处理时间。
技术实现思路
1、为了解决不能根据晶圆表面的ipa混液的多少,来调节进行吹出式蒸汽时的吹风口半径大小的技术问题,本专利技术的目的在于提供一种晶圆清洗过程中吹风气体流量控制方法及系统,所采用的技术方案具体如下:
2、第一方面,本专利技术一个实施例提供了一种晶圆清洗过程中吹风气体流量控制方法,该方法包括以下步骤:
...【技术保护点】
1.一种晶圆清洗过程中吹风气体流量控制方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种晶圆清洗过程中吹风气体流量控制方法,其特征在于,所述根据不同时刻下晶圆表面矩阵中局部描述子的数量、在相邻时刻下不同局部描述子的数值变化、以及每个元素与最近元素之间的距离,确定每个时刻的整体描述子,包括:
3.根据权利要求2所述的一种晶圆清洗过程中吹风气体流量控制方法,其特征在于,所述局部描述子的位置变化的计算公式为:
4.根据权利要求1所述的一种晶圆清洗过程中吹风气体流量控制方法,其特征在于,所述由附着有IPA混液的晶圆进行平铺扩展构成晶圆表面矩阵,包括:
5.根据权利要求4所述的一种晶圆清洗过程中吹风气体流量控制方法,其特征在于,所述结合所述晶圆表面矩阵中每个元素与周围元素的分布情况,确定每个元素的局部描述子,包括:
6.根据权利要求1所述的一种晶圆清洗过程中吹风气体流量控制方法,其特征在于,所述结合不同时刻下整体趋势项的倾斜程度、相邻两个元素对应的当前时刻下整体趋势项的倾斜程度和不同时刻的整体描述子,确定流量控制
7.根据权利要求6所述的一种晶圆清洗过程中吹风气体流量控制方法,其特征在于,所述结合不同时刻下整体趋势项的倾斜程度、相邻两个元素对应的当前时刻下整体趋势项的倾斜程度和不同时刻的整体描述子,确定流量控制系数,包括:
8.根据权利要求1所述的一种晶圆清洗过程中吹风气体流量控制方法,其特征在于,所述通过所述流量控制系数,对初始吹风口半径进行调节,得到扩张吹风口半径,包括:
9.根据权利要求1所述的一种晶圆清洗过程中吹风气体流量控制方法,其特征在于,所述对于由每个时刻的整体描述子构成的时序序列进行分解,得到整体趋势项,包括:
10.一种晶圆清洗过程中吹风气体流量控制系统,包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1~9任意一项所述一种晶圆清洗过程中吹风气体流量控制方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗过程中吹风气体流量控制方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种晶圆清洗过程中吹风气体流量控制方法,其特征在于,所述根据不同时刻下晶圆表面矩阵中局部描述子的数量、在相邻时刻下不同局部描述子的数值变化、以及每个元素与最近元素之间的距离,确定每个时刻的整体描述子,包括:
3.根据权利要求2所述的一种晶圆清洗过程中吹风气体流量控制方法,其特征在于,所述局部描述子的位置变化的计算公式为:
4.根据权利要求1所述的一种晶圆清洗过程中吹风气体流量控制方法,其特征在于,所述由附着有ipa混液的晶圆进行平铺扩展构成晶圆表面矩阵,包括:
5.根据权利要求4所述的一种晶圆清洗过程中吹风气体流量控制方法,其特征在于,所述结合所述晶圆表面矩阵中每个元素与周围元素的分布情况,确定每个元素的局部描述子,包括:
6.根据权利要求1所述的一种晶圆清洗过程中吹风气体流量控制方法,其特征在于,所述结合不同时刻下整体趋势项的倾斜程度、相邻...
【专利技术属性】
技术研发人员:钱诚,李刚,王禹涵,郭亚飞,周志勇,
申请(专利权)人:江苏亚电科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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