【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体制备设备，尤其是涉及一种半导体化学清洗槽。
技术介绍
1、半导体化学清洗槽，通常作为药液槽，如hf酸槽、poly槽，以去晶圆表面的除氧化膜。半导体化学清洗槽的结构通常包括双层的槽体，其中内槽体内放置晶圆，内槽体的药液通过顶部溢流从内槽体溢流到外槽体，再由泵将外槽体的药液泵入内槽体的底部的循环进水管，从而实现药液的循环，药液较少时，由进液管补入。
2、内槽体内还设置有晶圆支撑座来支撑晶圆，工作时，由机械手将晶圆放置到晶圆支撑座上。循环进水管通常位于晶圆下方，由于晶圆成排竖向排列放置到晶圆支撑座上，比如放入12寸晶圆50片。然而，现有的半导体化学清洗槽中，收到晶圆支撑座的影响，通常在晶圆支撑座相应结构的顶部容易出现流体流动缓慢区域(死区)，进而导致清洗效果较差，清洗不均匀。
技术实现思路
1、本技术要解决的技术问题是：为解决现有技术中的不足，从而提供一种清洗效果更加均匀半导体化学清洗槽。
2、本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：
3、一种半导体化学清洗槽，包括：
4、槽体，所述槽体顶部为开口，具有内溢流板，所述内溢流板围成了主槽，所述槽体一侧为汇集槽，所述内溢流板与外壁之间形成的溢流通道并与汇集槽连通，所述槽体顶部具有进液口，清洗液通过进液口通入主槽内；
5、晶圆支撑座，设置在所述槽体内，包括立柱，固定在立柱之间的晶圆支撑块，所述晶圆支撑块上设置有若干晶圆定位槽，所述晶圆支撑块包括位于两侧的侧支撑块和位于中
6、整流板，设置在槽体底部，包括，所述整流板上以中间支撑块的垂直投影为界分为两部分，两部分上均设置有第一整流孔；
7、循环进水管，设置在整流板底部，所述汇集槽通过泵与循环进水管连通。
8、优选地，本技术的半导体化学清洗槽，
9、所述汇集槽的深度大于另外三侧所形成的溢流通道的深度以使得清洗液能够顺利汇集到汇集槽中。
10、优选地，本技术的半导体化学清洗槽，
11、所述循环进水管包括内管和套设在内管外的外管，所述内管和外管上均开设有开口。
12、优选地，本技术的半导体化学清洗槽，
13、所述外管上开设的开口对应两块侧支撑块之间的区域。
14、优选地，本技术的半导体化学清洗槽，
15、所述内管具有一排开口，所述外管上具有两排开口，三排开口的中轴线两两形成60°夹角，且内管上的开口朝下，所述外管上的开口朝向斜向上。
16、优选地，本技术的半导体化学清洗槽，
17、内管上的所有开口的面积之和为外管上的所有开口的面积之和的120％到140％。
18、优选地，本技术的半导体化学清洗槽，
19、第一整流孔的半径为1.5mm到2.5mm。
20、优选地，本技术的半导体化学清洗槽，
21、所述整流板的侧边缘设置有第二整流孔，所述第二整流孔为长条孔，所述第二整流孔的长度为第一整流孔直径的3-4倍，所述第二整流孔的宽度与第一整流孔直径相等；
22、所述整流板上靠近中间支撑块的部分设置有第三整流孔，所述第三整流孔的长度为第一整流孔直径的3-4倍，所述第三整流孔的宽度与第一整流孔直径相等。
23、优选地，本技术的半导体化学清洗槽，
24、所述第三整流孔的设置位置对应晶圆队列中靠近中间位置的60％的晶圆。
25、本技术的有益效果是：
26、本技术的半导体化学清洗槽，槽体分为两层结构，内槽体形成四面溢流结构，内槽体的清洗液溢流到外槽体内，外槽体内的清洗液经过泵又被注入内槽体底部形成清洗液的循环流动以搅动内槽体内的清洗液。同时内槽体底部设置整流板，通过整流板使清洗液的流动更加均匀，提高清洗效果。
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1.一种半导体化学清洗槽，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体化学清洗槽，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体化学清洗槽，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体化学清洗槽，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体化学清洗槽，其特征在于，
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7.根据权利要求1所述的半导体化学清洗槽，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的半导体化学清洗槽，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的半导体化学清洗槽，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种半导体化学清洗槽，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体化学清洗槽，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体化学清洗槽，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体化学清洗槽，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体化...
【专利技术属性】
技术研发人员：钱诚，朱震，丁如强，
申请(专利权)人：江苏亚电科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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