【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构及其制造方法。
技术介绍
1、随着半导体工业的不断发展，需要越来越高集成度的半导体器件，当平面存储单元的特征尺寸接近下限，平面存储单元的存储密度也接近上限。目前，通常采用三维存储器架构以进一步提升存储密度，但是三维存储器中的布线较为密集复杂，集成度越高，线路与线路之间以及元件与元件之间的距离越小，因此，相邻线路及元件之间容易产生相互影响，进而对存储器的性能产生不良影响。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例为解决
技术介绍
中存在的技术问题而提供一种半导体结构及其制造方法。
2、根据本公开实施例的第一方面，提供了一种半导体结构，包括：
3、衬底；
4、位于所述衬底上方的至少一个有源柱堆叠结构，所述有源柱堆叠结构包括沿竖直方向依次堆叠分布的多个有源柱，所述有源柱沿第一方向延伸，所述第一方向与水平面平行，在竖直方向上相邻的所述有源柱之间存在间距，且在竖直方向上相邻的所述有源柱在水平面上的正投影部分交叠；
5、至少一条沿第二方向延伸的字线，所述第二方向平行于水平面且与所述第一方向相交，所述字线围绕沿所述第二方向位于同一层中的所述有源柱的沟道区。
6、在一些实施例中，至少一条所述字线沿所述第一方向水平平移与其他所述字线在竖直方向上无交叠区域。
7、在一些实施例中，在竖直方向上，相邻的所述有源柱在水平面上的正投影交叠的区域定义为投影交叠区域；
8、所述投影交叠区域沿所述
9、在一些实施例中，所述半导体结构还包括：
10、至少一个位线通孔，所述位线通孔贯穿所述有源柱堆叠结构中的所述有源柱；
11、至少一个位线结构，所述位线结构位于所述位线通孔内。
12、在一些实施例中，所述半导体结构还包括：
13、第二凹槽和位于所述第二凹槽沿所述第一方向两侧的第三凹槽，所述第二凹槽与所述第三凹槽沿所述第二方向延伸；
14、位于所述第二凹槽内的第一支撑结构和位于所述第三凹槽内的第二支撑结构，所述第一支撑结构包围至少一个所述有源柱堆叠结构中的多个所述有源柱的一部分，所述第二支撑结构包围至少一个所述有源柱堆叠结构中的多个所述有源柱的一部分。
15、在一些实施例中，所述半导体结构还包括：
16、多个电容结构，所述电容结构为柱状电容，所述电容结构围绕所述有源柱远离所述位线结构的端部；
17、沿所述有源柱的径向方向且由中心指向外部，所述电容结构包括下电极、介电层和上电极，所述下电极与所述有源柱电连接。
18、在一些实施例中，所述半导体结构还包括：
19、多个电容结构，所述电容结构为筒状电容，所述电容结构的一端与所述有源柱远离所述位线结构的一端电连接。
20、在一些实施例中，所述半导体结构还包括：
21、导电结构，所述导电结构填充相邻所述有源柱之间的间隙，且电连接所述电容结构。
22、根据本公开实施例的第二方面，提供了一种半导体结构的制造方法，包括：
23、提供衬底；
24、在所述衬底上方形成至少一个有源柱堆叠结构，所述有源柱堆叠结构包括多个沿竖直方向依次堆叠间隔分布的有源柱，所述有源柱之间的间隙填充有介质层，所述有源柱沿第一方向延伸，所述第一方向与水平面平行，在竖直方向上相邻的所述有源柱在水平面上的正投影部分交叠；
25、形成至少一条字线，所述字线沿第二方向延伸，所述第二方向平行于水平面且与所述第一方向相交，所述字线围绕沿所述第二方向位于同一层中的所述有源柱的沟道区。
26、在一些实施例中，在所述衬底上方形成至少一个有源柱堆叠结构，包括：
27、在所述衬底上方形成多个沿竖直方向依次堆叠分布的牺牲层，所述牺牲层之间的间隙填充有介质层，在竖直方向上相邻的所述牺牲层在水平面上的正投影部分交叠；
28、刻蚀所述多个牺牲层以及所述介质层，形成至少一个沿第一方向延伸的第一凹槽，从而将所述牺牲层刻蚀为多个牺牲柱；
29、以所述第一凹槽形成的开口去除所述牺牲层，形成空腔；
30、形成有源柱材料层，所述有源柱材料层填充所述空腔以及所述第一凹槽；
31、去除所述第一凹槽内的所述有源柱材料层，剩余在所述空腔内的所述有源柱材料层定义为有源柱。
32、在一些实施例中，在所述衬底上方形成多个沿竖直方向依次堆叠分布的牺牲层，包括：
33、执行形成第一牺牲层的步骤：
34、在所述衬底上方的隔离层上形成第一牺牲材料层；
35、去除所述第一牺牲材料层的第一侧，剩余的所述第一牺牲材料层定义为第一牺牲层；
36、形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述隔离层以及所述第一牺牲层；
37、执行形成第二牺牲层的步骤：
38、在所述第一介质层的上方形成第二牺牲材料层；
39、去除所述第二牺牲材料层的第二侧，所述第二侧为与所述第一侧相对的另一侧，剩余的所述第二牺牲材料层定义为第二牺牲层；
40、形成第二介质层，所述第二介质层覆盖所述第一介质层以及所述第二牺牲层；
41、交替执行上述形成所述第一牺牲层和形成所述第二牺牲层的步骤，直至获得预定层数的所述第一牺牲层与所述第二牺牲层。
42、在一些实施例中，在所述衬底上方形成至少一个有源柱堆叠结构，包括：
43、在所述衬底上方形成多个沿竖直方向依次堆叠分布的有源柱材料层，所述有源柱材料层之间的间隙填充有介质层，在竖直方向上相邻的所述有源柱材料层在水平面上的正投影部分交叠；
44、刻蚀所述多个有源柱材料层以及所述介质层，形成至少一个沿第一方向延伸的第一凹槽，从而将所述有源柱材料层刻蚀为多个有源柱。
45、在一些实施例中，在所述衬底上方形成至少一个有源柱堆叠结构之后，所述方法还包括：
46、沿竖直方向刻蚀所述有源柱堆叠结构与所述介质层，形成至少一个位线通孔，所述位线通孔贯穿所述有源柱堆叠结构与所述介质层；
47、在所述位线通孔中形成位线结构。
48、在一些实施例中，在形成所述位线结构之后，所述方法还包括：
49、刻蚀所述介质层，形成第二凹槽和位于所述第二凹槽沿所述第一方向两侧的第三凹槽，所述第二凹槽与所述第三凹槽沿所述第二方向延伸，所述位线通孔与部分所述有源柱暴露于所述第二凹槽内，部分所述有源柱暴露于所述第三凹槽内；
50、在所述第二凹槽与所述第三凹槽内填充支撑材料分别形成第一支撑结构与第二支撑结构。
51、在一些实施例中，形成至少一条字线，包括：
52、去除位于所述第一支撑结构与所述第二支撑结构之间的所述介质层，形成第四凹槽，所述有源柱的沟道区暴本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求6或7所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
9.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述衬底上方形成至少一个有源柱堆叠结构，包括：
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在所述衬底上方形成多个沿竖直方向依次堆叠分布的牺牲层，包括：
12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述衬底上方形成至少一个有源柱堆叠结构，包括：
13.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述衬底上方形成至少一个
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，在形成所述位线结构之后，所述方法还包括：
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，形成至少一条字线，包括：
16.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，在形成至少一条所述字线之后，所述方法还包括：
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，在形成所述电容结构之后，所述方法还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求6或7所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
9.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述衬底上方形成至少一个有源柱堆叠结构，包括：
11.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：邵光速，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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