【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及载盘装置及等离子蚀刻设备。
技术介绍
1、在对待蚀刻晶圆进行刻蚀的过程中，当载盘所承载的待蚀刻晶圆数量不一致时，会导致待蚀刻晶圆刻蚀速率不一致，严重时甚至可能会造成产品异常。
2、因此，如何提升待蚀刻晶圆刻蚀速率的一致性是亟需解决的问题。
技术实现思路
1、鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供载盘装置及等离子蚀刻设备，旨在解决待蚀刻晶圆刻蚀速率一致性较差的问题。
2、一种载盘装置，包括载盘，载盘设有若干承载部，各承载部分别与载盘伸缩连接，承载部被配置为承载待蚀刻晶圆。各承载部与载盘界定出一容置腔和若干缓冲腔，各缓冲腔分别与容置腔连通，容置腔内容置有承载介质，各缓冲腔为空腔，各缓冲腔被配置为容置承载介质，且各缓冲腔所能容纳之承载介质的总重量小于单个待蚀刻晶圆之重量。其中，各承载部依照置于载盘上的待蚀刻晶圆的数量自动调整待蚀刻晶圆与等离子蚀刻设备的上电极之间的相对距离。
3、上述载盘装置，在承载部承载待蚀刻晶圆时，借助于...
【技术保护点】
1.一种载盘装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的载盘装置，其特征在于，所述承载部包括伸缩件和承载件；
3.如权利要求2所述的载盘装置，其特征在于，所述伸缩件的伸缩行程依照置于所述载盘上的待蚀刻晶圆的数量自动调整。
4.如权利要求2所述的载盘装置，其特征在于，各所述缓冲腔为真空环境，且各所述缓冲腔均位于所述容置腔上方。
5.如权利要求2所述的载盘装置，其特征在于，所述载盘包括载盘本体和至少一个凸起件，所述凸起件设于所述载盘本体靠近所述上电极的一侧；
6.如权利要求5所述的载盘装置，其特征在于，所述凸
【技术特征摘要】
1.一种载盘装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的载盘装置，其特征在于，所述承载部包括伸缩件和承载件；
3.如权利要求2所述的载盘装置，其特征在于，所述伸缩件的伸缩行程依照置于所述载盘上的待蚀刻晶圆的数量自动调整。
4.如权利要求2所述的载盘装置，其特征在于，各所述缓冲腔为真空环境，且各所述缓冲腔均位于所述容置腔上方。
5.如权利要求2所述的载盘装置，其特征在于，所述载盘包括载盘本体和至少一个凸起件，所述凸起件设于所述载盘本体靠近所述上电极的一侧；
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【专利技术属性】
技术研发人员：张彬彬，苏财钰，张涛，苟先华，肖峰，
申请(专利权)人：重庆康佳光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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