存储器和存储系统技术方案

本公开实施例提供一种存储器和存储系统，所述存储器包括：衬底；位于所述衬底内的控制电路层；所述控制电路层中包括所述存储器的至少部分控制电路；至少两个存储结构层；所述至少两个存储结构层依次堆叠在所述控制电路层上；所述存储结构层包括多个阵列排布的存储块；所述存储块包括沿第一方向延伸的多条平行的字线；所述第一方向平行于所述衬底的表面；其中，位于同一存储结构层中相邻的存储块之间具有开口；位于不同存储结构层中的所述开口相互贯通；至少一个所述存储结构层中的各字线通过贯通的所述开口连接至所述控制电路层。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体，涉及但不限于一种存储器和存储系统。

技术介绍

1、随着当今科学技术的不断发展，半导体器件被广泛地应用于各种电子设备和电子产品。其中，动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)作为一种易失性存储器，是计算机中常用的半导体存储器件。

2、随机存取存储器中具有由许多重复的存储单元组成的存储阵列。每个存储单元包括选择晶体管和连接至选择晶体管的存储节点，存储节点的不同状态用于代表存储信息，即“0”或“1”。为了提高存储器的存储能力，要求半导体器件具有更高的存储密度和更小的特征尺寸。如何在单位面积内集成更多的存储单元并减小各个器件的占用面积，以及如何简化存储器的布线设计和制造工艺，成为了业界亟待解决的问题。

技术实现思路

1、有鉴于此，本公开实施例提供了一种存储器和存储系统。

2、第一方面，本公开实施例提供了一种存储器，包括：衬底；位于所述衬底内的控制电路层；所述控制电路层中包括所述存储器的至少部分控制电路；至少两个存储结构层；所述至本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，位于不同所述存储结构层中的所述开口的宽度由所述衬底向上的方向依次减小。

3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，还包括：

5.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述开口位于在第一方向上相邻的存储块之间，所述连接结构包括：

6.根据权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述第一连接结构由所述字线下通过所述开口沿垂直所述衬底的方向连接至所述控制电路层；

7.根据权利要求1所述的存储...

【技术特征摘要】

1.一种存储器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，位于不同所述存储结构层中的所述开口的宽度由所述衬底向上的方向依次减小。

3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，还包括：

5.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述开口位于在第一方向上相邻的存储块之间，所述连接结构包括：

6.根据权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述第一连接结构由所述字线下通过所述开口沿垂直所述衬底的方向连接至所述控制电路层；

7.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述控制电路层包括：与每个所述存储块对应连接的多个控制块。

8.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述存储块包括：

9.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐衍哲，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：