【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及精密检测仪器的，具体为一种高精度位移驱动台。
技术介绍
1、在半导体芯片制造过程的前道工序，需要对晶圆进行数十次的光刻，光刻机的分辨率和晶圆不同光刻层的对准，是影响光刻工艺误差的决定因素。晶圆不同光刻层间允许的对准误差，即套刻精度对光刻精度的影响首当其冲。
2、因此光刻前，需要利用套刻设备对晶圆上的套刻标记进行测量，来判断当前光刻层与上一光刻层的对准误差是否满足设计要求。
3、在套刻测量设备里需要利用微纳平台对光学镜筒进行精细调节，使得套刻标记图案位于光学系统的景深内；由于光学镜筒的景深大概1个微米左右，因此对光学镜筒的调节需要满足亚微米级高精度小位移移动。
4、为了获得亚微米级别的小位移移动，本专利技术设计了一套高精度微纳位移驱动台来实现。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种高精度位移驱动台，解决了光学镜筒的调节需要满足亚微米级高精度小位移移动的问题。
2、为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：一种高精度位移驱动台，包括控制器、形变控制机构、位移缩放机构和连接调节对象和位移缩放机构的连接机构，所述控制器给形变控制机构施加电压，使得形变控制机构产生纳米级别形变，该纳米级别形变通过位移缩放机构缩放到亚微米或者亚纳米级别，再通过连接机构推动调节对象到指定位置处，从而实现将调节对象进行高精度位移。
3、优选的，所述形变控制机构包括但不仅限于pzt压电陶瓷电机或音圈电机。
...【技术保护点】
1.一种高精度位移驱动台，其特征在于，包括控制器(1)、形变控制机构(2)、位移缩放机构(3)和连接调节对象(5)和位移缩放机构(3)的连接机构(4)，所述控制器(1)给形变控制机构(2)施加电压，使得形变控制机构(2)产生纳米级别形变，该纳米级别形变通过位移缩放机构(3)缩放到亚微米或者亚纳米级别，再通过连接机构(4)推动调节对象(5)到指定位置处，从而实现将调节对象(5)进行高精度位移。
2.根据权利要求1所述的一种高精度位移驱动台，其特征在于，所述形变控制机构(2)包括但不仅限于PZT压电陶瓷电机或音圈电机。
3.根据权利要求2所述的一种高精度位移驱动台，其特征在于，所述形变控制机构(2)在不同方向上设有两组，调节对象(5)通过不同方向上的形变控制机构(2)调节具有两个方向自由度的调节方向。
4.根据权利要求3所述的一种高精度位移驱动台，其特征在于，所述调节对象(5)上设有至少三个位置传感器(7)，所述位置传感器(7)分别设置在调节对象(5)的不同移动方向上，所述位置传感器(7)均电性连接控制器(1)，所述控制器(1)根据反馈的位移实际值
5.根据权利要求4所述的一种高精度位移驱动台，其特征在于，所述调节对象(5)固定安装在系统安装底座上，所述系统安装底座上设有用于测量调节对象(5)位置处温度的至少一个温度传感器(6)，所述系统安装底座侧壁还设有用于测量环境温度的另一温度传感器(6)，所述温度传感器(6)将测量得到的温度数值信号传递给位置传感器(7)，对位置传感器(7)的测得位移值进行温度补偿。
6.根据权利要求1所述的一种高精度位移驱动台，其特征在于，所述位移缩放机构(3)包括菱形壳体(31)，所述形变控制机构(2)为分别设置在菱形壳体(31)相邻两个角上的外部调节机构一(21)和外部调节机构二(22)，所述外部调节机构一(21)和外部调节机构二(22)的运动方向相互垂直设置。
7.根据权利要求6所述的一种高精度位移驱动台，其特征在于，所述菱形壳体(31)长度方向上的两端分别为固定不动的O点和连接外部调节机构一(21)的可活动的A点，所述外部调节机构一(21)带动A点向着靠近或远离O点的方向做自由伸缩运动，所述AO方向为水平方向。
8.根据权利要求6所述的一种高精度位移驱动台，其特征在于，所述菱形壳体(31)高度方向上的两端分别为固定不动的O’点和连接外部调节机构二(22)的可活动的B点，所述外部调节机构二(22)带动B点向着靠近或远离O’点的方向做自由伸缩运动，所述BO’方向为垂直方向。
...【技术特征摘要】
1.一种高精度位移驱动台，其特征在于，包括控制器(1)、形变控制机构(2)、位移缩放机构(3)和连接调节对象(5)和位移缩放机构(3)的连接机构(4)，所述控制器(1)给形变控制机构(2)施加电压，使得形变控制机构(2)产生纳米级别形变，该纳米级别形变通过位移缩放机构(3)缩放到亚微米或者亚纳米级别，再通过连接机构(4)推动调节对象(5)到指定位置处，从而实现将调节对象(5)进行高精度位移。
2.根据权利要求1所述的一种高精度位移驱动台，其特征在于，所述形变控制机构(2)包括但不仅限于pzt压电陶瓷电机或音圈电机。
3.根据权利要求2所述的一种高精度位移驱动台，其特征在于，所述形变控制机构(2)在不同方向上设有两组，调节对象(5)通过不同方向上的形变控制机构(2)调节具有两个方向自由度的调节方向。
4.根据权利要求3所述的一种高精度位移驱动台，其特征在于，所述调节对象(5)上设有至少三个位置传感器(7)，所述位置传感器(7)分别设置在调节对象(5)的不同移动方向上，所述位置传感器(7)均电性连接控制器(1)，所述控制器(1)根据反馈的位移实际值与理论值的差值进行运算，根据运算值驱动内部的电压，从而驱动形变控制机构(2)的变形量达到想要的位移输出。
5.根据权利要求4所述的一种高精度位移驱动台，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴坤，盖洪峰，段洪伟，
申请(专利权)人：无锡埃瑞微半导体设备有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。