【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆套刻测量，具体为一种用于晶圆套刻测量的显微成像系统。
技术介绍
1、在半导体芯片制造过程的前道工序，需要对晶圆进行数十次的光刻，光刻机的分辨率和晶圆不同光刻层的对准，是影响光刻工艺误差的决定因素，晶圆不同光刻层间允许的对准误差，即套刻精度对光刻精度的影响首当其冲，
2、因此光刻前，需要利用成像系统对晶圆上的套刻标记进行测量，来判断当前光刻层与上一光刻层的对准误差是否满足设计要求。
3、在测量标记图案，即套刻标记时，目前传统的方案是利用两套成像系统来实现标记图案的锁定，该两套成像系统包括一套视场大的成像系统和一套视场小的成像系统，两套系统占据较大的空间，这与设备能提供的有限空间是矛盾的，另外重复的组件和元件多，系统成本较高，所以设计一种晶圆套刻测量的显微系统来解决上述问题。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种用于晶圆套刻测量的显微成像系统，具备占据空间小、系统成本较低的优点，解决了在测量标记图案，即套刻标记时，目前传统的方案是...
【技术保护点】
1.一种用于晶圆套刻测量的显微成像系统，包括照明光路、测量光路、晶圆(9)、微纳驱动台(12)和垂直方向导轨(13)，其特征在于：所述照明光路包括光源控制器(1)、白光光源(2)、光源准直组件(3)、反射镜(4)、滤光片系统(5)和半透半反镜(6)；
2.根据权利要求1所述的一种用于晶圆套刻测量的显微成像系统，其特征在于：所述测量光路包括标记图案(8)、物镜系统(7)、半透半反镜(6)、成像透镜(10)和相机(11)，所述物镜系统(7)固定在微纳驱动台(12)上，所述微纳驱动台(12)固定在垂直方向导轨(13)上。
3.根据权利要求1所述的一种...
【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆套刻测量的显微成像系统，包括照明光路、测量光路、晶圆(9)、微纳驱动台(12)和垂直方向导轨(13)，其特征在于：所述照明光路包括光源控制器(1)、白光光源(2)、光源准直组件(3)、反射镜(4)、滤光片系统(5)和半透半反镜(6)；
2.根据权利要求1所述的一种用于晶圆套刻测量的显微成像系统，其特征在于：所述测量光路包括标记图案(8)、物镜系统(7)、半透半反镜(6)、成像透镜(10)和相机(11)，所述物镜系统(7)固定在微纳驱动台(12)上，所述微纳驱动台(12)固定在垂直方向导轨(13)上。
3.根据权利要求1所述的一种用于晶圆套刻测量的显微成像系统，其特征在于：所述物镜切换机构(73)包括但不限于手动、或电动、或气动平移，手动、或气动、或电动转动。
4.根据权利要求1所述的一种用于晶圆套刻测量的显微成像系统，其特征在于：所述微纳驱动台(12)不限于pzt压电陶瓷驱动或者vcm音圈电机，通过控制所述微纳驱动台(12)可实现物镜系统(7)沿垂直方向的微纳移动。
5.根据权利要求2所述的一种用于晶圆套刻测量的...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴坤，段洪伟，
申请(专利权)人：无锡埃瑞微半导体设备有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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