【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆套刻测量，具体是一种用于晶圆套刻测量的可变焦显微成像装置。
技术介绍
1、在半导体芯片制造过程的前道工序，需要对晶圆进行数十次的光刻，光刻机的分辨率和晶圆不同光刻层的对准，是影响光刻工艺误差的决定因素。晶圆不同光刻层间允许的对准误差，即套刻精度对光刻精度的影响首当其冲。
2、因此光刻前，需要利用显微成像装置对晶圆上的套刻标记进行测量，来判断当前光刻层与上一光刻层的对准误差是否满足设计要求。
3、在测量标记图案，即套刻标记时，目前传统的方案是利用两套z方向的运动台来实现z向光学镜筒的细调焦和粗调焦，来实现标记图案的锁定，该两套z方向运动台(一个大行程的和一个小行程的)不但增加了装置的生产成本，占据较大的空间，增加了z向的负载，同时也增加了运动的复杂化，使用十分不便。
技术实现思路
1、为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：一种用于晶圆套刻测量的可变焦显微成像装置，包括白光光源、用于控制白光光源开关的光源控制器、用于校准白光光源发射光束为...
【技术保护点】
1.一种用于晶圆套刻测量的可变焦显微成像装置，其特征在于，包括白光光源(2)、用于控制白光光源(2)开关的光源控制器(1)、用于校准白光光源(2)发射光束为平行光的光源准直组件(3)、用于调整光束方向的反射镜(4)、可调节的滤光片系统(5)和半透半反镜(6)，所述半透半反镜(6)的反射方向上依次设有可变焦液态物镜(7)和标记图案(8)，所述标记图案(8)位于晶圆(9)上，所述半透半反镜(6)的透射方向上依次设有可变焦液态成像透镜(10)和相机(11)。
2.根据权利要求1所述的一种用于晶圆套刻测量的可变焦显微成像装置，其特征在于，所述可变焦液态物镜(7)上...
【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆套刻测量的可变焦显微成像装置，其特征在于，包括白光光源(2)、用于控制白光光源(2)开关的光源控制器(1)、用于校准白光光源(2)发射光束为平行光的光源准直组件(3)、用于调整光束方向的反射镜(4)、可调节的滤光片系统(5)和半透半反镜(6)，所述半透半反镜(6)的反射方向上依次设有可变焦液态物镜(7)和标记图案(8)，所述标记图案(8)位于晶圆(9)上，所述半透半反镜(6)的透射方向上依次设有可变焦液态成像透镜(10)和相机(11)。
2.根据权利要求1所述的一种用于晶圆套刻测量的可变焦显微成像装置，其特征在于，所述可变焦液态物镜(7)上电性连接有用于控制可变焦液态物镜(7)焦距的物镜控制器(12)，可变焦液态成像透镜(10)上电性连接有用于控制可变焦液态成像透镜(10)间距的成像透镜控制器(13)。
3.根据权利要求2所述的一种用于晶圆套刻测量的可变焦显微成像装置，其特征在于，所述可变焦液态物镜(7)和可变焦液态成像透镜(10)为电润湿液态透镜...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴坤，盖洪峰，段洪伟，
申请(专利权)人：无锡埃瑞微半导体设备有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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