【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体封装，具体涉及一种扇出型封装结构及其封装方法。
技术介绍
1、随着电子产品朝小型化、密集化的方向发展，需要在小区域内安装较多的芯片以满足客户的需求，因此对于半导体芯片的封装提出了更高的要求。
2、现有的将多种芯片使用嵌入式硅转接板进行高密度定点式互联的2.5d封装技术，实现i/o的高速互联。但是通过硅中介层来实现多芯片及基板之间的电性连接，成本较高，且所有芯片放置于具有硅通孔的中介层顶部，易出现芯片封装集成度有限，延长了多个芯片间信号以及电源网络的通路，降低了芯片间的数据传输效率，电性能不理想等技术问题，因此，亟待一种扇出型封装结构及其封装方法的出现。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本专利技术提出了一种扇出型封装结构及其封装方法，降低生产成本，具有较高的布线密度，增加封装集成度，缩短多个芯片间信号以及电源网络的通路，从而方便进一步提高电性能。
2、为了达到上述目的，本专利技术的技术方案如下：
3、本专利技术提供一种扇出型封装...
【技术保护点】
1.一种扇出型封装结构，其特征在于，包括：互联组件，每相邻的两个芯片通过所述互联组件串接互联。
2.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述互联组件包括：钝化层，在所述钝化层上设有多层重布线金属层，每相邻的两层所述重布线金属层连接，在所述重布线金属层靠近所述芯片的一面上设有多个凸点下金属焊盘。
3.根据权利要求2所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述芯片靠近所述互联组件的一面上设有多个可控塌陷芯片连接凸点，所述可控塌陷芯片连接凸点与所述凸点下金属焊盘连接以能够实现所述重布线金属层与所述芯片电连接。
4.根据权利要求2所述...
【技术特征摘要】
1.一种扇出型封装结构，其特征在于，包括：互联组件，每相邻的两个芯片通过所述互联组件串接互联。
2.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述互联组件包括：钝化层，在所述钝化层上设有多层重布线金属层，每相邻的两层所述重布线金属层连接，在所述重布线金属层靠近所述芯片的一面上设有多个凸点下金属焊盘。
3.根据权利要求2所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述芯片靠近所述互联组件的一面上设有多个可控塌陷芯片连接凸点，所述可控塌陷芯片连接凸点与所述凸点下金属焊盘连接以能够实现所述重布线金属层与所述芯片电连接。
4.根据权利要求2所述的扇出型封装结构，其特征在于，每相邻的两层所述重布线金属层之间的线距为2μm～4μm。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述互联组件包括：第一互联组件，所述第一互联组件上...
【专利技术属性】
技术研发人员：马书英，赵艳娇，
申请(专利权)人：江苏盘古半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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