半导体结构的制造方法和半导体结构技术

本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制造方法和半导体结构，半导体结构的制造方法包括：提供衬底，在衬底内形成第一沟槽和第二沟槽，且二者的深度方向均为第一方向；第一沟槽包括多个在第一方向排布的第一子沟槽，第二沟槽包括多个在第一方向排布的第二子沟槽，且第一子沟槽和第二子沟槽的侧壁均呈外凸形；在相邻第一子沟槽的交界处形成背向第一沟槽凸出的字线；在第一子沟槽的侧壁形成第一源漏层；在相邻第二子沟槽的交界处形成背向第二沟槽凸出的第二源漏层；第二源漏层和字线均位于第一沟槽与第二沟槽之间，且第二源漏层与字线相对设置。本公开实施例至少可以提高半导体结构的性能。

【技术实现步骤摘要】

本公开属于半导体领域，具体涉及一种半导体结构的制造方法和半导体结构。

技术介绍

1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表其存储的一个二进制比特是1还是0。

2、3ddram是一种堆叠多层存储单元的一种结构，其集成度较高，单位面积上的容量更大，从而有利于降低单位面积的成本。然而3ddram的性能还有待提升。

技术实现思路

1、本公开实施例提供一种半导体结构的制造方法和半导体结构，至少有利于提高半导体结构的性能。

2、根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种半导体结构的制造方法，其中，半导体结构的制造方法包括：提供衬底，在所述衬底内形成第一沟槽和第二沟槽，且二者的深度方向均为第一方向；所述第一沟槽包括多个在所述第一方向排布的第一子沟槽，所述第二沟槽包括多个在所述第一方向排布的第二子沟槽，且所述第一子沟槽和所述第二子沟槽的侧壁均呈外凸形；在相邻所述第一子沟槽的交界处形本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在形成所述字线前，还包括：

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述孔洞的步骤包括：

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，去除位于相邻所述第一子沟槽交界处的所述第一隔离膜，以露出位于所述相邻所述第一子沟槽的交界处的所述衬底；包括：

5.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，还包括：在所述孔洞内形成绝缘层，所述绝缘层位于所述字线朝向所述第一沟槽的一侧；</p>

6.根据...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在形成所述字线前，还包括：

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述孔洞的步骤包括：

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，去除位于相邻所述第一子沟槽交界处的所述第一隔离膜，以露出位于所述相邻所述第一子沟槽的交界处的所述衬底；包括：

5.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，还包括：在所述孔洞内形成绝缘层，所述绝缘层位于所述字线朝向所述第一沟槽的一侧；

6.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述字线的步骤包括：

7.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一沟槽和所述第二沟槽在第二方向上排列，且二者均沿第三方向延伸；所述第二方向垂直于所述第三方向，且二者均垂直于所述第一方向；

8.根据权利要求7所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，

10.根据权利要求7所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩清华，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：