半导体结构及其形成方法技术

本公开涉及半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法，本公开形成方法包括提供基底；在基底的一侧形成堆叠分布的第一膜层和第二膜层，第一膜层位于第二膜层远离基底的一侧；在第一膜层内形成多个呈阵列分布的第一通孔，第一通孔露出第二膜层；在第一通孔内形成催化层；去除剩余的第一膜层，以露出各催化层之间的间隙；以催化层为催化剂对位于催化层正下方的第二膜层进行蚀刻，以在第二膜层中形成多个呈阵列分布的第二通孔。本公开的形成方法可提高蚀刻孔洞的均匀性，进而提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体，具体而言，涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

1、动态随机存储器(dynamic random access memory，dram)因具有体积小、集成化程度高及传输速度快等优点，被广泛应用于手机、平板电脑等移动设备中。电容器作为动态随机存储器的核心部件，主要用于存储电荷。

2、通常在制造电容器的过程中，需要以具有掩膜图案的掩膜层为掩膜对堆叠膜层进行蚀刻，进而在堆叠膜层中形成电容接触孔。然而，在形成掩膜图案的过程中，受工艺限制，掩膜图案的均匀性较差，致使后续形成的电容接触孔的均匀性降低，且不同刻蚀区域的膜层刻蚀深度不一，导致最终形成的电容器的良率较低。

3、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

1、有鉴于此，本公开提供了一种半导体结构及其形成方法，可提高蚀刻孔洞的均匀性，进而提高产品良率。

2、根据本公开的一个方面，提供一种半导体结构的形本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述第一通孔内形成催化层，包括：

3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，以所述催化层为催化剂对位于所述催化层正下方的所述第二膜层进行蚀刻，包括：

4.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，对所述第二膜层进行湿法蚀刻，包括：

5.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述第二膜层为多晶硅层，所述第一蚀刻溶液为双氧水，所述第二蚀刻溶液为氢氟酸。

6.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述催化层的材料包括氮化钛、金...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述第一通孔内形成催化层，包括：

3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，以所述催化层为催化剂对位于所述催化层正下方的所述第二膜层进行蚀刻，包括：

4.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，对所述第二膜层进行湿法蚀刻，包括：

5.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述第二膜层为多晶硅层，所述第一蚀刻溶液为双氧水，所述第二蚀刻溶液为氢氟酸。

6.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述催化层的材料包括氮化钛、金、银、铂、钯和铜中至少一种。

7.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述基底包括衬底及形成于所述衬底的表面的堆叠膜层，所述第二膜层位于所述堆叠膜层的表面，所述堆叠膜层中最远离所述衬底的膜层的材料与所述第二膜层的材料不同，所述以所述基底为蚀刻停止层，包括：...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘涛，夏军，占康澍，李森，徐朋辉，宛强，刘洋浩，刘晓红，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：