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本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制造方法和半导体结构，半导体结构的制造方法包括：提供衬底，在衬底内形成第一沟槽和第二沟槽，且二者的深度方向均为第一方向；第一沟槽包括多个在第一方向排布的第一子沟槽，第二沟槽包括多个在第一方向排...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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