System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 版图拆分方法、以及接触孔和通孔的制备方法技术_技高网

版图拆分方法、以及接触孔和通孔的制备方法技术

技术编号:40832525 阅读:3 留言:0更新日期:2024-04-01 14:56
本发明专利技术涉及一种先进制程接触孔/通孔制备的版图拆分方法,包括如下步骤:(1)对于原始版图,根据物理外延法导向自组装技术的孔倍增能力,对各个孔图形进行分组,其中将彼此之间的距离小于等于预定值的孔图形进行配对分组;(2)对于在步骤(1)中经分组后的每个组别,设定每个组别的引导模板的尺寸和形状;(3)根据步骤(1)中的分组的结果和步骤(2)中设定的每个组别的引导模板的尺寸和形状,对原始版图进行图形尺寸调整,生成引导模板版图;以及(4)根据第一版图拆分方式,对步骤(3)中生成的引导模板版图进行拆分以得到多个拆分层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域,尤其是涉及一种在制备先进制程逻辑芯片的接触孔/通孔时使用的版图拆分方法。


技术介绍

1、随着5g、人工智能、元宇宙等新兴科技产业快速崛起,海量数据催生出庞大的算力需求,进而带动高性能、大算力芯片成为行业发展的驱动力和新趋势。市场对高性能芯片需求日益旺盛的同时,也进一步加速了芯片的迭代周期,刺激芯片设计企业不断提高芯片技术含量、缩短交付时间,以提升核心竞争力。

2、例如,在逻辑芯片7nm及以下的工艺节点中,接触孔/通孔层的最小设计规则已经突破了主流的193nm浸没式光刻机的分辨极限。为了实现小周期的接触孔/通孔图案,需要duv 193i多重曝光技术(multi-patterning l ithography,mpl)来满足需求。

3、传统的mpl技术,是将原始的设计版图根据光刻机的分辨极限,相对均匀地拆分为可通过一次性曝光制备的数个层(layer),然后按照次序依次执行光刻、刻蚀等关键工艺流程,对光刻机的套刻精度、局域线宽均匀性要求很高。例如,在7nm节点逻辑芯片制造中,对于版图中的sram区域的v0层孔阵列,在按传统的多重曝光技术的版图拆分方式进行版图拆分时,需要四张光罩来实现此阵列的制备(参见图1)。


技术实现思路

1、然而,由于传统的mpl技术的工艺步骤繁杂,曝光层数的增加会导致成本上升,工艺控制难度提高,因此曝光层数也不能无限制地增加。此外,虽然极紫外光刻(euv)技术的光刻分辨率提高后,可以减少曝光层数,但是euv光刻机的价格过于高昂并且产能过低,并不是一种经济的高分辨率图形化方案,业内急需一种能够兼顾精度与成本的解决方案。

2、本专利技术是为了解决上述问题而完成的,其目的在于,提供一种在制备先进制程逻辑芯片的接触孔/通孔时使用的版图设计,其根据基于dsa的工艺能力进行分组的结果和对于每个组别设定的引导模板的尺寸和形状,对原始版图进行图形尺寸调整以生成引导模板版图,并且根据第一版图拆分方式,对所生成的引导模板版图进行拆分以得到多个拆分层,从而与传统的多重曝光技术路线相比,可使得所使用的光罩的数量更少,工艺步骤更少,有利于工艺的稳定、缺陷率的减低及良率的提升。

3、解决技术问题的技术方案

4、为了解决上述问题,本专利技术的第一方面所涉及的版图拆分方法中,包括如下步骤:

5、(1)对于原始版图,根据物理外延法导向自组装技术的孔倍增能力,对各个孔图形进行分组,其中将彼此之间的距离小于等于预定值的孔图形进行配对分组;

6、(2)对于在步骤(1)中经分组后的每个组别,设定每个组别的引导模板的尺寸和形状;

7、(3)根据步骤(1)中的分组的结果和步骤(2)中设定的所述每个组别的引导模板的尺寸和形状,对所述原始版图进行图形尺寸调整,生成引导模板版图;以及

8、(4)根据第一版图拆分方式,对步骤(3)中生成的所述引导模板版图进行拆分以得到多个拆分层,所述第一版图拆分方式包括如下原则:在同一拆分层中经分组后的每个组别的引导模板之间的最小间距大于等于用于制造所述引导模板的光刻机的分辨率。

9、进一步地,步骤(4)中进行拆分所得到的多个拆分层的数量比根据第二版图拆分方式对所述原始版图进行拆分所得到的多个拆分层的数量要少,所述第二版图拆分方式包括如下原则:在同一拆分层中各个孔图形之间的最小间距大于等于用于制造所述孔图形的光刻机的分辨率。

10、进一步地,经分组后的各个组别的引导模板的形状包括圆形、跑道形、椭圆形、花生形、丁字形、l形中的至少一种。

11、进一步地,所述原始版图是用于制造7nm以下工艺存储器的接触孔或通孔的版图。

12、进一步地,还包括如下步骤:

13、(5)对步骤(4)中进行拆分所得到的多个拆分层进行检查;以及

14、(6)判断步骤(5)中的检查结果是否违反预定拆分规则,在步骤(5)中的检查结果违反预定拆分规则的情况下,调整步骤(1)中的配对分组的规则,并重复执行步骤(2)、步骤(3)、步骤(4)、步骤(5),直到满足所述预定拆分规则为止。

15、进一步地,所述预定拆分规则包括如下原则:除了步骤(1)中配对分组的组别以外,不将彼此之间的距离小于等于预定距离的多个孔图形拆分到一个拆分层中。

16、进一步地,所述预定距离为110nm或96nm。

17、本专利技术的第二方面所涉及的接触孔或通孔的制备方法中,包括如下步骤:

18、(a)使用上述的版图拆分方法进行拆分以得到多个拆分层;

19、(b)对步骤(a)中进行拆分所得到的每一个拆分层进行光学邻近效应修正,获得经配对分组后的光罩以及未经配对分组的光罩;

20、(c)对于经配对分组后的光罩,利用物理外延法导向自组装工艺将引导模板转移到基片上以制备接触孔或通孔;以及

21、(d)对于未经配对分组的光罩,利用光刻工艺或者利用物理外延法导向自组装工艺将孔图形转移到基片上以制备接触孔或通孔。

22、本专利技术的第三方面所涉及的计算机可读取介质中,其上存储有计算机程序,该计算机程序被处理器执行时实现上述的版图拆分方法。

23、本专利技术的第四方面所涉及的计算机设备中,包括:存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述计算机程序时实现上述的版图拆分方法。

24、专利技术效果

25、根据本专利技术所涉及的版图拆分方法,与传统的多重曝光的技术路线相比,可使得所使用的光罩的数量更少,工艺步骤更少,有利于工艺的稳定、缺陷率的减低及良率的提升。

26、此外,根据本专利技术所涉及的版图拆分方法,由于可使用dsa工艺来形成与分组配对的孔图形对应的接触孔/通孔,因此与传统的光刻多重曝光的技术路线相比,能够使关键尺寸微缩,能够更加满足先进制程下尺寸微缩的需求。

27、此外,根据本专利技术所涉及的版图拆分方法,由于只是多了一步从孔图形配对分组转化为引导模板版图的过程,其后的流程均与传统的版图拆分方式相同,因此可以直接套用传统的版图拆分规则。

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【技术保护点】

1.一种版图拆分方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的版图拆分方法,其特征在于,

3.根据权利要求1或2所述的版图拆分方法,其特征在于,

4.根据权利要求1或2所述的版图拆分方法,其特征在于,

5.根据权利要求1或2所述的版图拆分方法,其特征在于,还包括如下步骤:

6.根据权利要求5所述的版图拆分方法,其特征在于,

7.根据权利要求6所述的版图拆分方法,其特征在于,

8.一种接触孔或通孔的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

9.一种计算机可读取介质,其上存储有计算机程序,该计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至7中任一项所述的版图拆分方法。

10.一种计算机设备,包括:存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至7中任一项所述的版图拆分方法。

【技术特征摘要】

1.一种版图拆分方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的版图拆分方法,其特征在于,

3.根据权利要求1或2所述的版图拆分方法,其特征在于,

4.根据权利要求1或2所述的版图拆分方法,其特征在于,

5.根据权利要求1或2所述的版图拆分方法,其特征在于,还包括如下步骤:

6.根据权利要求5所述的版图拆分方法,其特征在于,

7.根据权利要求6所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:张艳熊诗圣曹中涵刘佳琦
申请(专利权)人:张江国家实验室
类型:发明
国别省市:

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