【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及忆阻器读取方法，特别涉及在存储器中可用于片上训练的忆阻器读取方法、以及存储有结果为执行该忆阻器读取方法的程序的计算机可读取介质。
技术介绍
1、随着大数据时代的到来，工艺节点不断缩小，存储器件占比日渐增大。对于易失性存储器，为了保持存储的数据不丢失，在断电情况下，仍然需要给存储器提供电源信号，这会导致额外的较大的单元漏电功耗。为此，提出有利用rram替代传统的易失性存储器来存储数据的方案。
2、rram(resistive random access memory，忆阻器)是一种基于忆阻器件工作原理的新型非易失存储器，是一种两端器件，其工作机理是利用导电细丝的形成和断裂表现出低高阻态。通过在忆阻器两端加上不同电压，可实现忆阻器的不同操作模式。常见操作为写入操作和读取操作。
3、在对忆阻器进行写入操作时，通过在忆阻器两个极板上施加不同极性的电压，可实现忆阻器在不同状态间的转换。其中，阻变层由低阻态向高阻态变化称为复位操作或擦除操作(reset)，由高阻态向低阻态变化称为置位操作或编程操作(set)。通...
【技术保护点】
1.一种忆阻器读取方法，该忆阻器读取方法用于在片上训练时读取存储于阻变寄存器的数据，所述阻变寄存器包括：忆阻器，该忆阻器的一端连接至位线；以及选择晶体管，该选择晶体管的漏极与所述忆阻器的另一端相连接，源极连接至源线，所述忆阻器读取方法的特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的忆阻器读取方法，其特征在于，
3.如权利要求2所述的忆阻器读取方法，其特征在于，
4.如权利要求2所述的忆阻器读取方法，其特征在于，
5.如权利要求1至4的任一项所述的忆阻器读取方法，其特征在于，还包括：
6.如权利要求5所述的忆阻器读取...
【技术特征摘要】
1.一种忆阻器读取方法，该忆阻器读取方法用于在片上训练时读取存储于阻变寄存器的数据，所述阻变寄存器包括：忆阻器，该忆阻器的一端连接至位线；以及选择晶体管，该选择晶体管的漏极与所述忆阻器的另一端相连接，源极连接至源线，所述忆阻器读取方法的特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的忆阻器读取方法，其特征在于，
3.如权利要求2所述的忆阻器读取方法，其特征在于，
4.如权利要求2所述的忆阻器读取方法，其特征在于，
5.如权利要求1至4的任一项所述的忆阻器读取方法，其特征在于，还包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：杨建国，赵晨阳，杨宏虎，蒋海军，
申请(专利权)人：张江国家实验室，
类型：发明
国别省市：
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