半导体装置制造方法及图纸

技术编号：40826647 阅读：3 留言：0更新日期：2024-04-01 14:48

半导体装置具备半导体元件、与上述半导体元件导通的导电部件、以及覆盖上述半导体元件的封固树脂。上述导电部件具备：具有搭载有上述半导体元件的搭载部和与上述搭载部连接的第一端子的第一引线；以及具有第二端子的第二引线。上述第一端子以及上述第二端子分别包括在x方向上从上述封固树脂突出的部分。上述封固树脂具备在z方向上彼此朝向相反侧的树脂主面以及树脂背面。另外，上述封固树脂具备树脂端面，该树脂端面与上述树脂主面以及上述树脂背面连接，而且朝向上述第一端子以及上述第二端子突出的方向。在上述树脂端面中，上述第一端子以及上述第二端子在y方向以及z方向上相互隔开间隔。

全部详细技术资料下载

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及半导体装置。

技术介绍

1、具备半导体元件的半导体装置提出过各种结构。在专利文献1中公开了现有的半导体装置的一例。该文献所公开的半导体装置具备半导体元件、多个引线、以及封固树脂。半导体元件搭载于第一引线，背面的集电极电极与第一引线导通。另外，半导体元件的主面的发射极电极与第三引线导通。封固树脂覆盖多个引线的各一部分和半导体元件。第一引线具备从封固树脂突出从第一端子，第三引线具备从封固树脂突出的第三端子。若在该半导体装置的第一端子与第三端子之间施加高电压(例如数千v)，则在第一端子与第三端子之间的封固树脂的表面上引起放电，有第一端子与第三端子短路的情况。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2018－14490号公报

技术实现思路

1、专利技术所要解决的课题

2、本公开是以上述的事情为基础研究出的方案，其课题之一是提供一种能够实现高耐电压化的半导体装置。

3、用于解决课题的方案

4、由本公开提供的半导体装置具备：半导体元件；导电部件，其与上述半导体元件导通；以及封固树脂，其覆盖上述半导体元件，上述导电部件具备：第一引线，其具有搭载有上述半导体元件的搭载部、和与上述搭载部连接的第一端子；以及第二引线，其具有第二端子，上述第一端子以及上述第二端子分别包括在与上述搭载部的厚度方向正交的第一方向上从上述封固树脂突出的部分，上述封固树脂具备：树脂主面以及树脂背面，其在上述厚度方向上彼此朝向相反

5、专利技术的效果

6、本公开的半导体装置能够实现高耐电压化。

7、本公开的其它特征以及优点通过参照附图在以下进行的详细的说明将更加清楚。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

12.根据权利要求10或11所述的半导体装置，其特征在于，

13.根据权利要求10至12中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

14.根据权利要求1至13中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】