【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及发光元件、显示装置以及发光元件的制造方法。
技术介绍
1、为了进一步提高具备电致发光元件的显示装置的高精细化，要求电致发光元件中的有效发光面积的小面积化。电致发光元件包括例如量子点发光二极管(quantum dotlight emitting diode，qled)或有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)。
2、专利文献1～3公开了oled。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：国际公开公报wo2012-017492a1(2012年2月9日国际公开)
6、专利文献2：特开2012-48906号(2012年3月8日公开)
7、专利文献3：特开2013-73820号(2013年4月22日公开)
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题
2、在现有的电致发光元件中，沿着边缘罩的开口的轮廓，发光层容易以环状强烈地发光(异常发光)。该异常发光使电致发光元件的有效发光区域在表观上增大。
3、在电致发光元件中，要求有效发光区域的小面积化。
4、用于解决问题的方案
5、本公开的一方式涉及的发光元件为如下构成：包括：阳极；堤栏，其至少一部分与所述阳极相邻，或配置于所述阳极上；空穴注入层，其形成于所述阳极的上表面以及所述堤栏的侧面的至少一部分上；空穴传输层，其形成于所述空穴注入层上；发光层，其形成于所述空穴
6、本公开的一方式涉及的发光元件也可以为如下构成：将所述堤栏的倾斜角度设为t，则d1<d2*cost。此外，本公开使用“*”作为表示积算的运算符号。
7、本公开的一方式涉及的发光元件也可以为如下构成：0°<t<50°。
8、本公开的一方式涉及的发光元件也可以为如下构成：
9、对于沿着与所述阳极的上表面正交的方向的厚度，当将所述空穴传输层的自所述边界线上起1μm内侧的所述空穴传输层的厚度设为d3时，d1*2.3<d3。
10、本公开的一方式涉及的发光元件也可以为如下构成：所述空穴注入层含有无机系空穴传输材料。
11、本公开的一方式涉及的发光元件也可以为如下构成：所述无机系空穴传输材料为金属氧化物。
12、本公开的一方式涉及的发光元件也可以为如下构成：所述空穴注入层的电阻率为1*106ωcm以上。
13、本公开的一方式涉及的发光元件也可以为如下构成：所述发光层包含量子点。
14、本公开的一方式涉及的发光元件为如下构成：包括：第一电极；堤栏，其至少一部分与所述第一电极相邻，或配置于所述阳极上；第一层，其形成于所述第一电极的上表面以及所述堤栏的侧面的至少一部分上，且含有无机系空穴传输材料；第二层，其形成于所述第一层上，且含有有机系空穴传输材料；发光层，其形成于所述第二层上；以及第二电极，其形成于所述发光层上，对于沿着与所述第一电极的上表面正交的方向的厚度，当将所述阳极的中央上的所述第二层的厚度设为d1，将所述第一电极的上表面与所述堤栏的侧面之间的边界线上的所述第二层的厚度设为d2时，d1<d2。
15、本公开的一方式涉及的显示装置为包括上述发光元件的构成。
16、本公开的一方式涉及的显示装置为如下构成：包括上述发光元件，所述空穴注入层和所述空穴传输层分别相对于多个所述发光元件共用地形成。
17、本公开的一方式涉及的发光元件的制造方法为如下方法：包括：形成阳极的工序；以至少一部分与所述阳极相邻或配置于所述阳极上的方式形成堤栏的工序；将空穴注入层形成于所述阳极的上表面以及所述堤栏的侧面的至少一部分上的工序；将空穴传输层形成于所述空穴注入层上的工序；将发光层形成于所述空穴传输层上的工序；以及将阴极形成于所述发光层上的工序，对于沿着与所述阳极的上表面正交的方向的厚度，当将所述阳极的中央上的所述空穴传输层的厚度设为d1，将所述阳极的上表面与所述堤栏的侧面之间的边界线上的所述空穴传输层的厚度设为d2时，在形成所述空穴传输层的工序中，以d1<d2的方式形成所述空穴传输层。
18、本公开的一方式涉及的发光元件的制造方法也可以为如下方法：形成所述空穴传输层的工序包括：在所述空穴注入层上涂布溶液的工序；以及使所述溶液固化的工序，在涂布所述溶液的工序中，所述溶液相对于所述空穴注入层的接触角小于90°。
19、本公开的一方式涉及的发光元件的制造方法也可以为如下方法：以所述溶液中的溶质的容积密度为6mg/ml以上的方式准备所述溶液。
20、本公开的一方式涉及的发光元件的制造方法也可以为如下方法：以所述溶液中的溶质的容积密度为8mg/ml以上的方式准备所述溶液。
21、本公开的一方式涉及的发光元件的制造方法也可以为如下方法：在涂布所述溶液的工序中，通过旋涂法以转速为2000rpm以下来涂布所述溶液。
22、本公开的一方式涉及的发光元件的制造方法也可以为如下方法：在涂布所述溶液的工序中，通过旋涂法以转速为1000rpm以下来涂布所述溶液。
23、专利技术效果
24、根据本公开的一方式，能够使发光元件的有效发光区域的小面积化。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种发光元件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
3.如权利要求2所述的发光元件，其特征在于，
4.如权利要求1至3中任一项所述的发光元件，其特征在于，
5.如权利要求1至4中任一项所述的发光元件，其特征在于，
6.如权利要求5所述的发光元件，其特征在于，
7.如权利要求1至6中任一项所述的发光元件，其特征在于，
8.如权利要求1至7中任一项所述的发光元件，其特征在于，
9.一种发光元件，其特征在于，包括：
10.一种显示装置，其包括权利要求1至9中任一项所述的发光元件。
11.一种显示装置，其特征在于，
12.一种发光元件的制造方法，其特征在于，包括：
13.如权利要求12所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
14.如权利要求13所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
15.如权利要求13所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
16.如权利要求13至15中任一项所述
17.如权利要求13至16中任一项所述的发光元件的制造方法，其特征在于，
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种发光元件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
3.如权利要求2所述的发光元件，其特征在于，
4.如权利要求1至3中任一项所述的发光元件，其特征在于，
5.如权利要求1至4中任一项所述的发光元件，其特征在于，
6.如权利要求5所述的发光元件，其特征在于，
7.如权利要求1至6中任一项所述的发光元件，其特征在于，
8.如权利要求1至7中任一项所述的发光元件，其特征在于，
9.一种发光元件，其特征在于，包括：
10...
【专利技术属性】
技术研发人员：中峻之，
申请(专利权)人：夏普显示科技株式会社，
类型：发明
国别省市：
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