【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微电子封装工艺，具体涉及一种cbga器件高铅焊球偏移的校正工装及方法。
技术介绍
1、目前，集成电路陶瓷封装器件多采用植球的方式制备外引脚，以实现与pcb基板的组装互连，为保证陶封器件组装的高可靠性，多采用高铅焊球作为引脚材料，即通过回流时低熔点锡膏(常见为sn63pb37)的熔化实现高铅焊球与焊盘的永久性连接。
2、现有的高铅焊球制备方法是采用工装治具印刷锡膏、放置高铅焊球，将产品取出工装后置于回流炉中进行回流。高铅焊球在自由状态下进行回流焊接，回流焊接过程中，焊球偏移多为外观不合格项，严重时会与相邻焊球发生连锡，导致电信号短连，影响产品性能；经研究分析，产生焊球偏移的原因如下：
3、(1)由于陶瓷本身热容较大，大尺寸器件在回流过程中会存在温度均匀性差的问题，导致锡膏无法同时熔化，高铅焊球容易向率先熔化侧发生偏移；
4、(2)电路封装密度的提高会采用较小的引脚间隙，回流过程中四周的焊球均会产生相互作用力，导致焊球发生偏移。
技术实现思路
1、为了克服上述技术的缺点，本专利技术提供一种cbga器件高铅焊球偏移的校正工装及方法，采用本校正工装及方法，能够解决在制备高铅焊球的回流焊接过程中，由于器件受热不均或焊球之间产生的相互作用力，导致焊球发生偏移的技术问题。
2、为了达到上述目的，本专利技术采用如下
技术实现思路
：
3、一种cbga器件高铅焊球偏移的校正工装，包括底座和焊球放置板；
4、所述底座上开设有
5、所述焊球放置板上开设有通孔阵列；所述焊球放置板的周边上设置有多个第二定位孔，所述第二定位孔数量与所述第一定位孔相同，且开设位置相对应；
6、所述底座和所述焊球放置板均采用石墨材料；使用时，所述第一定位孔与所述第二定位孔通过定位销相配合。
7、进一步地，所述定位凹腔尺寸与待植球cbga器件的植球电路尺寸一致，且定位凹腔高度比植球电路厚度至少高0.2mm。
8、进一步地，所述通孔阵列的通孔直径为焊球直径的1.1—1.2倍。
9、进一步地，所述焊球放置板上开设有回收槽，所述回收槽与所述通孔阵列连通。
10、进一步地，所述通孔阵列的厚度为1.0—1.2mm。
11、进一步地，所述底座上开设有用于夹持待植球cbga器件的凹槽。
12、进一步地，所述定位凹腔的圆弧角设置为倒角结构。
13、进一步地，所述通孔阵列的圆心距与待植球cbga器件的焊盘圆心距一致。
14、进一步地，所述第一定位孔位于所述底座的顶角；所述第二定位孔位于所述焊球放置板的顶角。
15、一种基于上述cbga器件高铅焊球偏移的校正工装的使用方法，包括：
16、将印刷锡膏后的待植球cbga器件放置于底座的定位凹腔中，在底座的第一定位孔插上定位销，再将焊球放置板通过定位销以及第二定位孔放置于底座的第一定位孔上方；在焊球放置板的通孔阵列上倒入焊球并使得每个通孔中均落有焊球；最终将底座与焊球放置板整体放入回流炉中进行焊接。
17、相比现有技术，本专利技术具有如下有益效果：
18、本专利技术提供一种cbga器件高铅焊球偏移的校正工装，本工装采用定位孔相配合的底座和焊球放置板，通过定位孔的定位配合能够避免焊球之间的相互作用力，降低了回流焊接过程焊球偏移或连锡导致的外观不合格概率；底座和焊球放置板均采用石墨，一方面，石墨具有热导率高的特点，增加回流过程的热传导作用，避免腔体内陶瓷器件受热不均匀，陶瓷管壳表面的温度差可控制在1℃以内；另一方面，石墨具有较小的热膨胀系数和较好的润滑作用，减小回流过程的变形，还可实现焊球零损伤脱模，保证了cbga器件的成品率在98％以上；本专利技术的结构简单，操作方便，且不影响生产效率，通用性强，具有良好的推广应用价值。
19、优选地，本专利技术中，定位凹腔尺寸与待植球cbga器件的植球电路尺寸一致，且定位凹腔高度比植球电路厚度至少高0.2mm，这样，预留的爬锡高度，保证了回流焊的成功率。
20、优选地，本专利技术中，通孔阵列的通孔直径为焊球直径的1.1—1.2倍，这样，保证焊球偏移量的同时，又避免焊球脱模损伤。
21、优选地，本专利技术中，焊球放置板上开设了回收槽，并且通孔阵列相连，这样，回收槽的设置将多余的焊球倒出，能够有效减少焊球浪费。
22、优选地，本专利技术中，底座上开设有用于夹持待植球cbga器件的凹槽，在植球过程中，通过凹槽便于对待植球cbga器件进行夹持，这样，便于器件的放入或取出。
23、本专利技术还提供一种cbga器件高铅焊球偏移的校正工装的使用方法，基于上述cbga器件高铅焊球偏移的校正工装，采用本方法能够对回流过程中的焊球位置进行有效固定，避免高铅焊球在自由状态下回流易发生偏移或连锡的问题，本方法操作便捷简单，且不影响生产加工效率，能降低cbga器件植球后的偏移不合格数量，显著提高cbga器件植球的成品率。
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1.一种CBGA器件高铅焊球偏移的校正工装，其特征在于，包括底座(1)和焊球放置板(2)；
2.根据权利要求1所述的一种CBGA器件高铅焊球偏移的校正工装，其特征在于，所述定位凹腔(11)尺寸与待植球CBGA器件的植球电路尺寸一致，且定位凹腔(11)高度比植球电路厚度至少高0.2mm。
3.根据权利要求1所述的一种CBGA器件高铅焊球偏移的校正工装，其特征在于，所述通孔阵列(21)的通孔直径为焊球直径的1.1—1.2倍。
4.根据权利要求1所述的一种CBGA器件高铅焊球偏移的校正工装，其特征在于，所述焊球放置板(2)上开设有回收槽(22)，所述回收槽(22)与所述通孔阵列(21)连通。
5.根据权利要求1所述的一种CBGA器件高铅焊球偏移的校正工装，其特征在于，所述通孔阵列(21)的厚度为1.0—1.2mm。
6.根据权利要求1所述的一种CBGA器件高铅焊球偏移的校正工装，其特征在于，所述底座(1)上开设有用于夹持待植球CBGA器件的凹槽(14)。
7.根据权利要求1所述的一种CBGA器件高铅焊球偏移的校正工
8.根据权利要求1所述的一种CBGA器件高铅焊球偏移的校正工装，其特征在于，所述通孔阵列(21)的圆心距与待植球CBGA器件的焊盘圆心距一致。
9.根据权利要求1所述的一种CBGA器件高铅焊球偏移的校正工装，其特征在于，所述第一定位孔(13)位于所述底座(1)的顶角；所述第二定位孔(23)位于所述焊球放置板(2)的顶角。
10.一种基于权利要求1-9任一项所述CBGA器件高铅焊球偏移的校正工装的使用方法，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种cbga器件高铅焊球偏移的校正工装，其特征在于，包括底座(1)和焊球放置板(2)；
2.根据权利要求1所述的一种cbga器件高铅焊球偏移的校正工装，其特征在于，所述定位凹腔(11)尺寸与待植球cbga器件的植球电路尺寸一致，且定位凹腔(11)高度比植球电路厚度至少高0.2mm。
3.根据权利要求1所述的一种cbga器件高铅焊球偏移的校正工装，其特征在于，所述通孔阵列(21)的通孔直径为焊球直径的1.1—1.2倍。
4.根据权利要求1所述的一种cbga器件高铅焊球偏移的校正工装，其特征在于，所述焊球放置板(2)上开设有回收槽(22)，所述回收槽(22)与所述通孔阵列(21)连通。
5.根据权利要求1所述的一种cbga器件高铅焊球偏移的校正工装，其特征在于，所述通孔阵列(21)的厚度为1.0—1.2mm...
【专利技术属性】
技术研发人员：南旭惊，吴道伟，乔亮，严秋成，
申请(专利权)人：西安微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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