【技术实现步骤摘要】
本申请涉及存储设备领域，具体而言，涉及一种闪存存储扩容结构、存储器及嵌入式设备。
技术介绍
1、flash(一种存储器，或称“闪存”)，可以制成spi(serial peripheral interface，串行外围设备接口)flash存储器，以在嵌入式设备上使用。
2、部分spi flash因容量小、读写性能差的原因，无法满足当前嵌入式设备的需求，例如，4线flash因容量较小、读写性能较差，无法满足许多嵌入式设备的需求。目前，通常是在嵌入式设备上使用性能更优的flash，例如，将8mbit(兆比特，一种存储单位)的flash替换为16mbit或更大容量的flash，又或者，将4线flash更换为8线或16线flash，又或者将8线flash更换为16线flash等读写性能更优的存储器，以满足嵌入式设备对存储器的需求。
3、然而，相较于4线flash存储器，性能更优的flash的成本更高。例如，在相同容量的情况下，8线flash的成本远大于4线flash，而16线flash成本又远大于8线flash。因此，大容量、性能优的flash存在着成本较高问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请旨在提供一种闪存存储扩容结构、存储器及嵌入式设备，以降低性能较优的闪存存储器的成本。
2、第一方面，本申请提供一种闪存存储扩容结构，包括：闪存控制器芯片和多个闪存存储芯片；不同所述闪存存储芯片的读写端与所述闪存控制器芯片上的读写端连接。
3、本申请实
4、一实施例中，不同所述闪存存储芯片的读写端均与所述闪存控制器芯片上的同一读写端连接。
5、本申请实施例中，将不同闪存存储芯片的读写端均与闪存控制器芯片上的同一读写端连接，可以使得闪存控制器芯片同时使用不同闪存存储芯片的容量，从而实现将多个小容量闪存存储芯片组合为一个较大容量的存储结构的目的。
6、一实施例中，不同所述闪存存储芯片的容量不同。
7、本申请实施例中，当不同闪存存储芯片的读写端均与闪存控制器芯片上的同一读写端连接时，闪存存储扩容结构的容量不受各闪存存储芯片的容量不同的影响，闪存存储芯片可以根据需求进行任意容量的组合，可以使用不同容量的闪存存储芯片，以满足不同场景下对容量的需求。
8、一实施例中，不同所述闪存存储芯片的读写端分别与所述闪存控制器芯片上的不同读写端连接。
9、本申请实施例中，将不同闪存存储芯片的读写端分别与闪存控制器芯片上的不同读写端连接时，闪存控制器芯片可以同时使用多个闪存存储芯片的容量，此外，闪存控制器还可以同时对不同闪存存储芯片进行读写，由此，可以提高闪存存储扩容结构的访问位宽。由此，通过上述连接方式，可以同时实现容量和位宽的扩展，提高闪存存储扩容结构的性能，降低获取对应容量和位宽的存储结构的成本。
10、一实施例中，所述闪存存储芯片包括多个控制模块；所述闪存控制器芯片的不同读写端分别设置在不同所述控制模块上，所述闪存存储芯片的数量大于单个所述控制模块中读写端的数量；多个所述闪存存储芯片的读写端分别与不同所述控制模块上的不同读写端连接。
11、本申请实施例中，闪存存储扩容结构的容量为所有闪存存储芯片的容量之和，闪存存储芯片包括多个控制模块，由此，可以使得较多数量的闪存存储芯片与闪存存储芯片连接，以使用较多数量的闪存存储芯片组合成具有一个较大容量和访问位宽的闪存存储扩容结构，由此，利用该闪存存储扩容结构制造闪存存储器，可以进一步降低获取大容量闪存存储器成本。
12、一实施例中，所述闪存存储芯片包括控制模块，所述闪存控制器芯片的不同读写端分别设置在同一所述控制模块上；多个所述闪存存储芯片的读写端分别与同一所述控制模块上的不同读写端连接。
13、本申请实施例中，可以使用设置有多个读写端的控制模块，以使用单个控制模块控制多个闪存存储芯片，简化闪存控制器芯片的结构，从而降低闪存存储扩容结构的成本。
14、一实施例中，所述多个闪存存储芯片中的部分闪存存储芯片与所述闪存控制器芯片上的同一目标读写端连接，所述多个闪存存储芯片中的其余部分闪存存储芯片与所述闪存控制器芯片上除所述目标读写端外的其他读写端连接。
15、本申请实施例中，多个闪存存储芯片既可以与同一读写端连接，也可以与不同读写端连接，由此，可以降低对闪存存储芯片的要求，可以进行任意组合，得到用户所需容量的闪存存储扩容结构的同时，降低闪存存储芯片。
16、一实施例中，所述闪存控制器芯片与不同所述闪存存储芯片之间的数据连接线长度不相同。
17、本申请实施例中，闪存存储芯片在与不同读写端连接后，在增加容量的同时提升了位宽，降低数据在闪存控制器芯片与所述闪存存储芯片之间进行数据传输受位宽的影响，因此，数据连接线长度可以不相同，数据连接线长度不相同可以有效降低数据连接线的布局设计难度，从而降低布局设计、封装制造的成本。
18、第二方面，本申请提供一种存储器，包括如第一方面任一项所述的闪存存储扩容结构。
19、第三方面，本申请提供一种嵌入式设备，包括：第二方面所述存储器。
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1.一种闪存存储扩容结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的闪存存储扩容结构，其特征在于，所述闪存存储芯片包括控制模块，所述闪存控制器芯片的不同读写端分别设置在同一所述控制模块上；
3.如权利要求1所述的闪存存储扩容结构，其特征在于，所述多个闪存存储芯片中的部分闪存存储芯片与所述闪存控制器芯片上的同一目标读写端连接，所述多个闪存存储芯片中的其余部分闪存存储芯片与所述闪存控制器芯片上除所述目标读写端外的其他读写端连接。
4.根据权利要求1所述的闪存存储扩容结构，其特征在于，所述闪存控制器芯片与不同所述闪存存储芯片之间的数据连接线长度不相同。
5.一种存储器，其特征在于，包括：
6.一种嵌入式设备，其特征在于，包括：如权利要求5所述的存储器。
【技术特征摘要】
1.一种闪存存储扩容结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的闪存存储扩容结构，其特征在于，所述闪存存储芯片包括控制模块，所述闪存控制器芯片的不同读写端分别设置在同一所述控制模块上；
3.如权利要求1所述的闪存存储扩容结构，其特征在于，所述多个闪存存储芯片中的部分闪存存储芯片与所述闪存控制器芯片上的同一目标读写端连接，所述多...
【专利技术属性】
技术研发人员：王凤云，曹小红，
申请(专利权)人：恒玄科技北京有限公司，
类型：新型
国别省市：
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