伪静态随机存储器的扩容结构、存储器及嵌入式设备制造技术

技术编号：40565308 阅读：23 留言：0更新日期：2024-03-05 20:50

本申请提供一种伪静态随机存储器的扩容结构、存储器及嵌入式设备设计存储设备领域。伪静态随机存储器的扩容结构包括：伪静态随机存储器的控制器芯片和多个伪静态随机存储器的存储芯片；不同所述存储芯片的读写端与所述控制器芯片的读写端连接；不同所述存储芯片的锁存控制端与所述控制器芯片的锁存控制端连接。通过上述伪静态随机存储器的扩容结构，将多个小容量的伪静态随机存储器的存储芯片组合为一个大容量的扩容结构，该扩容结构的容量大于存储芯片的容量，相较于大容量的伪静态随机存储器存储芯片，多个小容量的伪静态随机存储器存储芯片的成本更低。

全部详细技术资料下载

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及存储设备领域，具体而言，涉及一种伪静态随机存储器的扩容结构、存储器及嵌入式设备。

技术介绍

1、部分psram(pseudo static random access memory，伪静态随机存储器)因容量小、读写性能较差的原因，无法满足当前电子设备的需求，例如，opi psram(octal psram，八进制伪静态随机存储器)因容量较小、读写速率较慢的原因，无法满足一些电子设备的使用需求。

2、目前，通常是在嵌入式设备上使用性能更优的psram，例如，在位宽相同的情况下，将容量为4mb的psram替换成容量为32mb的psram，又或者，在容量相同的情况下，将opipsram替换为16位数据位宽的psram。然而，相较于小容量或低位宽的psram，大容量或高位宽psram的制造成本更高。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请旨在提供一种伪静态随机存储器的扩容结构、存储器及嵌入式设备，以降低性能较优的伪静态随机存储器的成本。

2、第一方面，本申请实施例提供...

【技术保护点】

1.一种伪静态随机存储器的扩容结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的伪静态随机存储器的扩容结构，其特征在于，不同所述存储芯片的容量不同。

3.根据权利要求1所述的伪静态随机存储器的扩容结构，其特征在于，在不同所述存储芯片的读写端均与所述控制器芯片上的同一读写端连接的情况下，不同所述存储芯片的第二时钟端与所述控制器芯片的第一时钟端之间分别通过不同的第一信号线连接；

4.根据权利要求1或2所述的伪静态随机存储器的扩容结构，其特征在于，所述存储芯片为十六进制伪静态随机存储器的存储芯片或八进制伪静态随机存储器的存储芯片。