【技术实现步骤摘要】
本申请涉及信息存储领域，具体而言，涉及一种存储位元以及mram。
技术介绍
1、基于自旋转移矩的磁性随机存储器(spin transfer torque-basedmagnetoresistive ram，stt-mram)具有非易失性、可无限擦写和快速写入等优点，而有望成为下一代低功耗通用存储器。stt-mram基本存储单元包括mos(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，金属氧化物半导体场效应管)器件以及磁隧道结(magnetic tunnel junctions，简称为mtj)。
2、mtj的制备是在mos器件后段cu和al制程之间，后段制程会不可避免地引入刻蚀等相关的等离子体电荷，尤其是mtj刻蚀一般为ibe(ion beam etching，离子束刻蚀)，其原理为使用轰击性粒子进行轰击，会引入等离子体电荷，即pid(plasma induced damage，电势诱导衰减)效应，对mos器件造成损伤，从而影响mram位元中mtj和mos器件的电性参数。
3、在
技术介绍
部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的
技术介绍
的理解，因此，
技术介绍
中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。
技术实现思路
1、本申请的主要目的在于提供一种存储位元以及mram，以解决现有技术中因mtj刻蚀引起的pid效应对mos器件造成损伤的问题。
2、为了实
3、可选地，所述第一顶层金属线用于电连接位线，所述mos器件的源端用于电连接源极线，所述mos器件的栅极用于电连接字线。
4、可选地，所述存储位元还包括第一通孔、第二通孔、第三通孔及第四通孔，其中，所述第一底层金属线的一端通过所述第一通孔与所述mos器件的漏端电连接；所述第一顶层金属线通过所述第二通孔与所述第一底层金属线的另一端电连接；所述mtj单元的第一端通过所述第三通孔与所述第一顶层金属线电连接；所述第二底层金属线通过所述第四通孔与所述mtj单元的第二端电连接。
5、可选地，所述存储位元还包括第二顶层金属线，其中，所述第二顶层金属线位于所述第二底层金属线的远离所述mos器件的一侧，且与所述第二底层金属线电连接，所述第二顶层金属线与所述第一顶层金属线不连接。
6、可选地，所述第二顶层金属线用于电连接位线，所述mos器件的源端用于电连接源极线，所述mos器件的栅极用于电连接字线。
7、可选地，所述存储位元还包括第五通孔，其中，所述第二顶层金属线通过所述第五通孔与所述第二底层金属线电连接，和/或，所述第一底层金属线与所述第二底层金属线位于同一结构层上；所述第一顶层金属线与所述第二顶层金属线位于同一结构层上。
8、可选地，所述mos器件为soi(silicon on buried oxide，绝缘硅)-mos器件。
9、可选地，所述mtj单元包括依次叠置的参考层、隧穿层以及自由层，其中，所述自由层的远离所述隧穿层的表面为所述mtj单元的第一端，所述参考层的远离所述隧穿层的表面为所述mtj单元的第二端。
10、可选地，所述mtj单元为面内磁各向异性mtj或者垂直磁各向异性mtj。
11、根据本申请的另一方面，还提供了一种mram，所述mram包括任意一种所述的存储位元。
12、应用本申请的技术方案，采用第一顶层金属线连接mtj单元的第一段与第一底层金属线，通过第一底层金属线与mos器件的漏端电连接，mtj单元的第二段与第二底层金属线电连接，第二底层金属线与第一底层金属线不连接，使连接mtj的第二底层金属线与连接mos器件的第一底层金属线分开，从而保证了mos器件的底层金属线不直接连接mtj，避免了因mtj刻蚀对mos器件造成的等离子体损伤，提高了产品的工艺质量和良率。进而解决了现有技术中因mtj刻蚀引起的pid效应对mos器件造成损伤的问题。
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1.一种存储位元，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储位元，其特征在于，所述第一顶层金属线用于电连接位线，所述MOS器件的源端用于电连接源极线，所述MOS器件的栅极用于电连接字线。
3.根据权利要求1所述的存储位元，其特征在于，所述存储位元还包括：
4.根据权利要求1所述的存储位元，其特征在于，所述存储位元还包括：
5.根据权利要求4所述的存储位元，其特征在于，所述第二顶层金属线用于电连接位线，所述MOS器件的源端用于电连接源极线，所述MOS器件的栅极用于电连接字线。
6.根据权利要求4所述的存储位元，其特征在于，
7.根据权利要求1至6中任一项所述的存储位元，其特征在于，所述MOS器件为SOI-MOS器件。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的存储位元，其特征在于，所述MTJ单元包括依次叠置的参考层、隧穿层以及自由层，其中，所述自由层的远离所述隧穿层的表面为所述MTJ单元的第一端，所述参考层的远离所述隧穿层的表面为所述MTJ单元的第二端。
9.根据权利要求1至6中任一项所
10.一种MRAM，其特征在于，包括：权利要求1至9中任一项所述的存储位元。
...【技术特征摘要】
1.一种存储位元，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储位元，其特征在于，所述第一顶层金属线用于电连接位线，所述mos器件的源端用于电连接源极线，所述mos器件的栅极用于电连接字线。
3.根据权利要求1所述的存储位元，其特征在于，所述存储位元还包括：
4.根据权利要求1所述的存储位元，其特征在于，所述存储位元还包括：
5.根据权利要求4所述的存储位元，其特征在于，所述第二顶层金属线用于电连接位线，所述mos器件的源端用于电连接源极线，所述mos器件的栅极用于电连接字线。
6.根据权利要求4所述的存储位元，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：任艳，杨晓蕾，过奇钧，
申请(专利权)人：浙江驰拓科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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