一种电迁移测试结构制造技术

本申请涉及半导体工艺可靠性测试领域，公开了一种电迁移测试结构，包括：至少一个测试模组；测试模组包括待测试线、第一引线、第二引线、第一通孔、第二通孔、第一测试端、第二测试端和至少一个第三测试端；待测试线通过第一通孔与第一引线电连接，待测试线通过第二通孔与第二引线电连接；第一测试端与第一引线电连接，第二测试端与第二引线电连接，第三测试端与待测试线电连接。本申请在待测试线上至少引出一个第三测试端，第三测试端与第一测试端、第二测试端相结合，可以对电迁移测试结构中不同位置处的电阻进行测试，通过与初始电阻对比，从而判断出电迁移测试结构中失效所在位置。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体工艺可靠性测试领域，特别是涉及一种电迁移测试结构。

技术介绍

1、在半导体工艺制造中，电迁移是影响半导体器件可靠性性能的主要因素。电迁移是在器件工作时，金属互连线内有一定电流通过并产生电场，在该电场的作用下，金属离子会沿着导体产生质量的输运，形成金属离子的迁移，金属离子的迁移容易在金属互连线的局部区域产生空洞。当空洞达到一定程度时，金属互连线的电阻大大增加，容易导致半导体器件的性能退化或失效。

2、目前，判断电迁移性能时常用的测试结构见图1和图2，待测试线11通过第一通孔14和第二通孔15分别连接第一引线12和第二引线13，第一引线12和第二引线13上分别连接有两个测试端(焊盘(pad))。测试时，通过对比施加应力测试前后测试结构电阻的变化，判断结构是否失效。测试电阻既包含金属通孔电阻，又包含金属线电阻。当该测试结构失效时，即电阻变化超过一定范围时，不能区分电阻发生变化的位置，即不能判断失效位置。

3、因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。

技术实现思路

1、本申请的目的是提供一种电迁移测试结构，以确定出失效位置。

2、为解决上述技术问题，本申请提供一种电迁移测试结构，包括：至少一个测试模组；

3、所述测试模组包括待测试线、第一引线、第二引线、第一通孔、第二通孔、第一测试端、第二测试端和至少一个第三测试端；

4、所述待测试线通过所述第一通孔与所述第一引线电连接，所述待测试线通过所述第二通孔与所述第二引线电连接；

5、所述第一测试端与所述第一引线电连接，所述第二测试端与所述第二引线电连接，所述第三测试端与所述待测试线电连接。

6、可选的，所述第三测试端的数量为一个。

7、可选的，所述第三测试端的数量为两个。

8、可选的，还包括：

9、第一电流线和第一电压线，所述第一电流线和所述第一电压线分别与所述第一引线电连接。

10、可选的，还包括：

11、第二电流线和第二电压线，所述第二电流线和所述第二电压线分别与所述第二引线电连接。

12、可选的，还包括：

13、第三电流线和/或第三电压线，所述第三电流线、所述第三电压线与所述待测试线中局部测试线的电连接，所述局部测试线为位于两个所述第三测试端之间的部分区域。

14、可选的，所述第三电流线、所述第三电压线的宽度大于或等于所述局部测试线的宽度。

15、可选的，所述第三电流线、所述第三电压线包括单层的金属线。

16、可选的，所述第三电流线、所述第三电压线包括金属线和第三通孔。

17、可选的，所述测试模组的数量在两个以上，相邻两个所述测试模组中的所述待测试线连接同一个所述第一引线或者同一个所述第二引线。

18、本申请所提供的一种电迁移测试结构，包括：至少一个测试模组；所述测试模组包括待测试线、第一引线、第二引线、第一通孔、第二通孔、第一测试端、第二测试端和至少一个第三测试端；所述待测试线通过所述第一通孔与所述第一引线电连接，所述待测试线通过所述第二通孔与所述第二引线电连接；所述第一测试端与所述第一引线电连接，所述第二测试端与所述第二引线电连接，所述第三测试端与所述待测试线电连接。

19、可见，本申请电迁移测试结构中包括待测试线、第一引线、第二引线、第一通孔、第二通孔、第一测试端、第二测试端和至少一个第三测试端，第三测试端与待测试线电连接。即本申请在待测试线上至少引出一个第三测试端，第三测试端与第一测试端、第二测试端相结合，可以对电迁移测试结构中不同位置处的电阻进行测试，通过与初始电阻对比，从而判断出电迁移测试结构中失效所在位置。

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【技术保护点】

1.一种电迁移测试结构，其特征在于，包括：至少一个测试模组；

2.如权利要求1所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述第三测试端的数量为一个。

3.如权利要求1所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述第三测试端的数量为两个。

4.如权利要求1所述的电迁移测试结构，其特征在于，还包括：

5.如权利要求3所述的电迁移测试结构，其特征在于，还包括：

6.如权利要求5所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述第三电流线、所述第三电压线的宽度大于或等于所述局部测试线的宽度。

7.如权利要求5所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述第三电流线、所述第三电压线包括单层的金属线。

8.如权利要求5所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述第三电流线、所述第三电压线包括金属线和第三通孔。

9.如权利要求1至8任一项所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述测试模组的数量在两个以上，相邻两个所述测试模组中的所述待测试线连接同一个所述第一引线或者同一个所述第二引线。

【技术特征摘要】

1.一种电迁移测试结构，其特征在于，包括：至少一个测试模组；

2.如权利要求1所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述第三测试端的数量为一个。

3.如权利要求1所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述第三测试端的数量为两个。

4.如权利要求1所述的电迁移测试结构，其特征在于，还包括：

5.如权利要求3所述的电迁移测试结构，其特征在于，还包括：

6.如权利要求5所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述第三电流线、...

【专利技术属性】
技术研发人员：王莎莎，陈航，郑泽杰，
申请(专利权)人：浙江驰拓科技有限公司，
类型：新型
国别省市：