半导体结构的制备方法及半导体结构技术

本申请实施例涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法包括：提供第一半导体材料层；在第一半导体材料层的表面形成掩膜层；掩膜层包括依次层叠的第一掩膜层、第二半导体材料层和第二掩膜层；掩膜层具有暴露第一半导体材料层的部分区域的开口；其中，第二半导体材料层为晶体材料层；以掩膜层为掩膜刻蚀第一半导体材料层，形成至少两个沟槽；去除第二掩膜层，暴露第二半导体材料层的上表面；执行外延生长工艺，以在至少两个沟槽内填满第三半导体材料层，第三半导体材料层在经至少两个沟槽暴露出的第一半导体材料层的侧壁和底壁上以及在第二半导体材料层的上表面上选择性外延生长。如此，可避免器件漏电。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，特别是涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。

技术介绍

1、外延生长是半导体制造中一种常用的技术，外延生长可以较好地控制外延层的掺杂浓度，并可以在硅表面上限定的区域内选择性生长外延层。例如，可以采用外延生长工艺，在位于硅衬底中的沟槽内选择性生长外延层以填充沟槽。

2、超结器件是中高压领域的一种十分重要的功率器件。超结器件中的超结结构是由交替排列的p型半导体柱和n型半导体柱组成，超结结构通常作为超结器件的漂移区代替单一类型的漂移区，可以减小器件的导通电阻而不会影响器件的击穿电压。目前，超结结构的制备方法通常是首先在n型硅外延层中形成多个沟槽，接下来在多个沟槽内外延生长p型半导体层，以形成交替排列的p型半导体柱和n型半导体柱。但是采用上述方法形成的超结结构的表面容易在制备过程中产生缺陷。由于超结器件包括多个器件单元结构，各器件单元结构通常形成于超结结构的表面，因此超结结构表面的缺陷会影响超结器件的性能。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请实施例为解决
技术介绍
中存在的至少一个问题而本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一半导体材料层为具有第一导电类型的单晶硅层，所述第三半导体材料层为具有第二导电类型硅材料层，所述第一导电类型与所述第二导电类型电性相反。

3.根据权利要求1或2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜层为氧化物层，所述第二半导体材料层为多晶硅层，所述第二掩膜层为氧化物层。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二半导体材料层的厚度为500埃至3000埃。

5.根据权利要求4所述的半导...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一半导体材料层为具有第一导电类型的单晶硅层，所述第三半导体材料层为具有第二导电类型硅材料层，所述第一导电类型与所述第二导电类型电性相反。

3.根据权利要求1或2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜层为氧化物层，所述第二半导体材料层为多晶硅层，所述第二掩膜层为氧化物层。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二半导体材料层的厚度为500埃至3000埃。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二半导体材料层的厚度为1500埃至2000埃。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的制备...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄熙，韩廷瑜，李天澍，
申请(专利权)人：芯联集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：