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本申请实施例涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法包括：提供第一半导体材料层；在第一半导体材料层的表面形成掩膜层；掩膜层包括依次层叠的第一掩膜层、第二半导体材料层和第二掩膜层；掩膜层具有暴露第一半导体材料层的部分区域...
该专利属于芯联集成电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯联集成电路制造股份有限公司授权不得商用。

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