System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种碳化硅材料及其制备方法技术_技高网

一种碳化硅材料及其制备方法技术

技术编号:40805877 阅读:4 留言:0更新日期:2024-03-28 19:29
本申请提供一种低温烧结碳化硅陶瓷材料及其制备方法,其中,所述碳化硅陶瓷由包含如下重量份数的原料制成:碳化硅粉末70~90份;烧结剂0.1~10份;液态树脂2~20份;粘结剂2~20份;水70~120份。本申请特定原料结合本申请的制备方法,可以在低温条件下以碳化硅为原料,加入烧结助剂和碳源,同时加入有机物作为粘结剂,通过低温烧结后,烧结助剂和碳源生成碳化硅,制备出没有掺杂其他相的碳化硅陶瓷,尤其在力学性能上表现优异,可以应用于高品质材料场景,且制作成碳化硅陶瓷过滤膜,半导体用碳化硅陶瓷部件等,广泛应用于食品,医药和新能源等行业。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及碳化硅材料,尤其涉及一种碳化硅材料及其制备方法


技术介绍

1、碳化硅陶瓷具有高硬度、良好的耐磨性,耐酸碱腐蚀、化学稳定性好等优点,广泛应用于耐磨、环保和防弹等领域。但是由于碳化硅材料为共价键结构,因此烧结十分困难。

2、目前低温烧结碳化硅陶瓷的方法一般为反应烧结和液相烧结。中国专利“一种碳化硅防弹陶瓷的制备方法”(中国,公开号cn 101967059a)和中国专利“一种碳化硅防弹陶瓷材料及其制备方法”(中国,公开号cn 102219519a)中所涉及的碳化硅陶瓷均为反应烧结碳化硅,这种方法制备的碳化硅防弹陶瓷虽然具有生产工艺简单的优点,但由于其含有大量未完全反应的游离硅,耐腐蚀性能下降。

3、而中国专利“一种低温烧结耐酸碱多孔碳化硅陶瓷支撑体的制备方法”(中国,公开号cn 107619281a)中所涉及的碳化硅陶瓷为液相烧结碳化硅,这种方法制备碳化硅陶瓷生产成本较低,但是液相烧结碳化硅在高温烧结后产品变形较大,无法工业化生产。

4、因此,亟需一种能够实现低温烧结、且适应工业化生产的碳化硅材料及其制备方法。


技术实现思路

1、为克服现有技术中存在的上述缺陷,本申请提供了一种碳化硅材料及其制备方法,解决现有技术中存在低温烧结导致性能下降等的问题。

2、为了实现上述专利技术目的,本申请提供以下技术方案:

3、本申请提供了一种碳化硅陶瓷材料,所述碳化硅陶瓷由包含如下重量份数的原料制成:

4、

5

6、所述烧结剂包括硅烷、硅氧化物和无机酸中的至少一种。

7、优选地,所述碳化硅粉末的粒径为0.5~10μm;所述碳化硅粉末的纯度大于92%。

8、优选地,满足下述条件中的至少一种:

9、当所述烧结剂包括所述硅烷时,可包括聚碳硅烷、乙烯基硅烷、甲基丙烯酰氧基硅烷、氨丙基三甲氧基硅烷;

10、当所述烧结剂包括所述硅氧化物时,可包括二氧化硅,其中,所述二氧化硅为纳米型二氧化硅;

11、当所述烧结剂包括所述无机酸时,可包括硅酸。

12、优选地,所述液态树脂包括丙烯酸树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、环氧树脂中的至少一种。

13、优选地,所述粘结剂为有机粘结剂,当粘结剂为所述有机粘结剂时,包括聚乙烯醇、糊精、羧甲基纤维素中的至少一种。

14、本申请还提供了上述碳化硅陶瓷材料的制备方法,包括如下步骤:

15、(1)将碳化硅、烧结剂、液态树脂和粘结剂加水混合、一次过筛得到浆料;

16、(2)将浆料进行造粒、二次过筛;

17、(3)加压成型;

18、(4)将步骤(3)制备的生坯进行一次烧结和二次烧结,二次烧结后冷却即可。

19、优选地,步骤(1)中,所述混合可为在...条件下混合,其中,转速为...混合温度为...;所述一次过筛的目数为60~120目。

20、优选地,步骤(2)中,所述造粒可为喷雾造粒,一般可为喷雾造粒塔进行造粒,其中喷雾造粒塔进口温度180~260℃,出口温度60~120℃;

21、所述二次过筛的目数为60~120目。

22、优选地,步骤(3)中,所述加压成型的操作可为干压成型或者挤压成型,其中当采用加压成型时,压力为50~200mpa,时间为5~20s;当采用挤压成型时,压力为5~20mpa。

23、优选地,满足下列条件中的至少一种:步骤(4)中,所述一次烧结和二次烧结均为真空烧结,其中,真空度为-0.03pa,一次烧结的温度为800~900℃;二次烧结的温度为1600~1800℃;

24、步骤(4)中,所述一次烧结还包括一次保温的操作,所述二次烧结还包括二次保温的操作;所述一次保温的时间为0.5~2.0h;二次保温的时间为0.5~2.0h。

25、与现有技术相比,本申请包括如下技术效果:

26、本申请提供一种低温烧结碳化硅陶瓷材料及其制备方法,可以在低温条件下以碳化硅为原料,加入烧结助剂和碳源,同时加入有机物作为粘结剂,通过低温烧结后,烧结助剂和碳源生成碳化硅,制备出没有掺杂其他相的碳化硅陶瓷,在力学性能上表现优异,可以应用于高品质材料场景,且制作成碳化硅陶瓷过滤膜,半导体用碳化硅陶瓷部件等,广泛应用于食品,医药和新能源等行业。

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【技术保护点】

1.一种碳化硅陶瓷材料,其特征在于:所述碳化硅陶瓷由包含如下重量份数的原料制成:

2.如权利要求1所述的碳化硅陶瓷材料,其特征在于,所述碳化硅粉末的粒径为0.5~10μm;所述碳化硅粉末的纯度大于92%。

3.如权利要求1所述的碳化硅陶瓷材料,其特征在于,满足下述条件中的至少一种:

4.如权利要求1所述的碳化硅陶瓷材料,其特征在于,所述液态树脂包括丙烯酸树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、环氧树脂中的至少一种。

5.如权利要求1所述的碳化硅陶瓷材料,其特征在于,所述粘结剂为有机粘结剂,当粘结剂为所述有机粘结剂时,包括聚乙烯醇、糊精、羧甲基纤维素中的至少一种。

6.一种如权利要求1~5中任意一项所述的碳化硅陶瓷材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

7.如权利要求6所述碳化硅陶瓷材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述混合可为在常温下进行湿混条件下混合,其中,混合时间为6~24h;混合转速为10~50r/min;所述一次过筛的目数为60~120目。

8.如权利要求6所述碳化硅陶瓷材料的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,所述造粒可为喷雾造粒,一般可为喷雾造粒塔进行造粒,其中喷雾造粒塔进口温度180~260℃,出口温度60~120℃;

9.如权利要求6所述碳化硅陶瓷材料的制备方法,其特征在于,步骤(3)中,所述加压成型的操作可为干压成型或者挤压成型,其中当采用加压成型时,压力为50~200MPa;时间为5~20s。

10.如权利要求6所述碳化硅陶瓷材料的制备方法,其特征在于,满足下列条件中的至少一种:

...

【技术特征摘要】

1.一种碳化硅陶瓷材料,其特征在于:所述碳化硅陶瓷由包含如下重量份数的原料制成:

2.如权利要求1所述的碳化硅陶瓷材料,其特征在于,所述碳化硅粉末的粒径为0.5~10μm;所述碳化硅粉末的纯度大于92%。

3.如权利要求1所述的碳化硅陶瓷材料,其特征在于,满足下述条件中的至少一种:

4.如权利要求1所述的碳化硅陶瓷材料,其特征在于,所述液态树脂包括丙烯酸树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、环氧树脂中的至少一种。

5.如权利要求1所述的碳化硅陶瓷材料,其特征在于,所述粘结剂为有机粘结剂,当粘结剂为所述有机粘结剂时,包括聚乙烯醇、糊精、羧甲基纤维素中的至少一种。

6.一种如权利要求1~5中任意一项所述的碳化硅陶瓷材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

【专利技术属性】
技术研发人员:段春雷陈晓军李虎保玉芝赵文林李晓臣李宝赵强马海军段玉泽王勇林媛
申请(专利权)人:宁夏机械研究院股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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