具有集成短路保护的晶体管制造技术

公开了一种具有集成短路保护的晶体管，具有第一电流端和第二电流端以及控制端并且设置有温敏性限流装置，所述第一电流端和第二电流端以及控制端可被偏置以形成从所述第一电流端穿过沟道区到所述第二电流端的导电路径。所述限流装置由所述控制端的半导体材料一体地形成且被配置成当所述沟道区中的装置的温度超过预定阈值温度时，使得流过所述沟道区的电流减少。

【技术实现步骤摘要】

本文中所描述的主题的实施例涉及场效应晶体管和这类晶体管的制造方法。

技术介绍

1、基于晶体管的电路用于包括放大和开关在内的应用。专用晶体管电路可用于涉及将负载与高电压源连接和断开连接的高功率应用中。在这类应用中，负载中的短路或负载电阻的其它大幅减小可导致高电流通过耦合于负载与电源之间的晶体管。熔丝和其它保护装置通常用以保护晶体管和其它电路系统免于在短路事件的情况下受损。当使用sic的高功率晶体管技术用于其中高电流密度合乎需要的应用中时，过量电流可导致装置和周围结构快速发热。

技术实现思路

1、在示例实施例中，一种半导体装置包括第一电流端、第二电流端、控制端和温敏性限流装置。所述第一电流端和第二电流端以及所述控制端被共同配置成当合适的第一极性的偏置电压施加到所述控制端时，提供经由沟道区从所述第一电流端到所述第二电流端的导电性电流路径。所述温敏性限流装置由所述控制端的半导体材料一体地形成，且限流装置被配置成当所述沟道区内的装置温度超过预定温度限值时，使得从所述第一电流端流到所述第二电流端的电流的量减小。

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【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述控制端包括：

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述限流装置包括所述第一栅极指状件层和所述第二栅极指状件层；且

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述第二栅极指状件层的所述第一部分和所述第二栅极指状件层的所述第二部分通过电接触层彼此电耦合...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述控制端包括：

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述限流装置包括所述第一栅极指状件层和所述第二栅极指状件层；且

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，<...

【专利技术属性】
技术研发人员：塔努杰·萨克塞纳，约翰·皮戈特，维什努·克姆卡，柳博·拉迪克，覃甘明，
申请(专利权)人：恩智浦美国有限公司，
类型：发明
国别省市：