开关制造技术

一种开关布置，包括：双向金属氧化物半导体MOS开关，其具有漏极、源极和栅极以及体极；第一电路，其耦合在所述漏极、所述栅极和所述源极之间以用于提供静电放电保护；第一晶体管，其具有耦合到所述MOS开关的所述体极的源极、耦合到所述MOS开关的所述源极的漏极和耦合到所述MOS开关的所述栅极的栅极；以及用于提供静电放电保护的第二电路，所述第二电路包括具有耦合到所述MOS开关的所述体极的阳极和耦合到所述源极的阴极的齐纳二极管型的第一二极管，以及具有耦合到所述MOS开关的所述体极的源极、耦合到所述MOS开关的所述源极的漏极和耦合到所述第一二极管的所述阳极的栅极的第二晶体管。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种开关，例如基于mos的双向开关。具体地，本公开涉及一种包括静电放电保护的基于mos的双向开关布置。

技术介绍

1、晶体管可用作开关。具体地，基于mos的开关，例如mosfet，可用作双向开关。与任何其它部件一样，开关可能经历静电放电esd事件，并且可能需要保护以免受esd引起的潜在损坏。此外，此类开关可以是热插拔式，使得这些开关连接到电池或其它能量源而不受施加到开关的应力控制。有效地保护开关免受esd和热插拔事件的影响是一个挑战。

技术实现思路

1、根据本公开的第一方面，提供一种开关布置，所述开关布置包括：

2、双向金属氧化物半导体mos开关，其具有漏极端、源极端、栅极端和体极；

3、第一电路，其耦合在所述漏极端、所述栅极端和所述源极端之间以用于提供静电放电保护；

4、第一晶体管，其具有耦合到所述mos开关的所述体极的源极端、耦合到所述mos开关的所述源极端的漏极端和耦合到所述mos开关的所述栅极端的栅极端；以及

5、用于提供静电放电保护的第二电路本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种开关布置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的开关布置，其特征在于，所述第二电路另外包括第一电阻器，所述第一电阻器具有耦合到所述MOS开关的所述体极的第一端和耦合到所述第一二极管的所述阳极端的第二端，使得所述第一二极管的所述阳极端经由所述第一电阻器串联耦合到所述MOS开关的所述体极。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的开关布置，其特征在于，所述第一电路包括：

4.根据权利要求3所述的开关布置，其特征在于，所述第一电路另外包括连接在所述栅极端与所述源极端之间的第二电阻器。

5.根据在前的任一项权利要求所述的开关布置，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种开关布置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的开关布置，其特征在于，所述第二电路另外包括第一电阻器，所述第一电阻器具有耦合到所述mos开关的所述体极的第一端和耦合到所述第一二极管的所述阳极端的第二端，使得所述第一二极管的所述阳极端经由所述第一电阻器串联耦合到所述mos开关的所述体极。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的开关布置，其特征在于，所述第一电路包括：

4.根据权利要求3所述的开关布置，其特征在于，所述第一电路另外包括连接在所述栅极端与所述源极端之间的第二电阻器。

5.根据在前的任一项权利要求所述的开关布置...

【专利技术属性】
技术研发人员：帕斯卡·卡迈勒·阿布达，帕特里斯·贝塞，阿兰·塞勒，奥利维耶·蒂科，叶夫根尼·尼科洛夫·斯特凡诺夫，哈利勒·贾拉迪，阿莱特·马蒂布拉维耶，
申请(专利权)人：恩智浦美国有限公司，
类型：发明
国别省市：