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一种开关布置，包括：双向金属氧化物半导体MOS开关，其具有漏极、源极和栅极以及体极；第一电路，其耦合在所述漏极、所述栅极和所述源极之间以用于提供静电放电保护；第一晶体管，其具有耦合到所述MOS开关的所述体极的源极、耦合到所述MOS开关的所述...
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