【技术实现步骤摘要】
本申请涉及红外探测器，更具体地说，涉及一种红外探测器芯片晶圆、红外探测器。
技术介绍
1、用于探测物体红外辐射信号的电子元件被称为红外探测器。探测器的核心是探测器芯片，探测器芯片由mems传感器和cmos读出电路构成。红外探测器分为制冷红外探测器，非制冷红外探测器，非制冷光子探测器。
2、微测辐射热计是非制冷红外探测器应该最广泛的一种，微测辐射热计为mems(micro-electro-mechanical system，微机电系统)微桥结构。
3、目前，mems微测辐射热计结构的红外探测器大多采用横向互联引线键合技术实现与外部电路的连接，这种技术相对成熟，但是这种连接方式会导致互连可靠性低、信号传输存在延迟及红外探测器封装体积增加。
4、综上所述，如何增强非制冷红外探测器互连可靠性，降低信号传输延迟和封装体积，是目前本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请的目的是提供一种红外探测器芯片晶圆及红外探测器，用于增强红外探测器互...
【技术保护点】
1.一种红外探测器芯片晶圆，其特征在于，包括衬底晶圆(1)、设置在所述衬底晶圆(1)上表面的外延层(2)、设置在所述外延层(2)上表面的层间介质(3)、设置在所述层间介质(3)中的集成电路(4)、设置在所述层间介质(3)的上表面且与所述集成电路(4)相连的微测辐射热计(10)；
2.根据权利要求1所述的红外探测器芯片晶圆，其特征在于，所述通孔(5)内还设有位于所述绝缘层(6)与所述导电材料(7)之间的黏附阻挡层(8)。
3.根据权利要求2所述的红外探测器芯片晶圆，其特征在于，所述通孔(5)内还设有位于所述黏附阻挡层(8)和所述导电材料(7)之间
【技术特征摘要】
1.一种红外探测器芯片晶圆，其特征在于，包括衬底晶圆(1)、设置在所述衬底晶圆(1)上表面的外延层(2)、设置在所述外延层(2)上表面的层间介质(3)、设置在所述层间介质(3)中的集成电路(4)、设置在所述层间介质(3)的上表面且与所述集成电路(4)相连的微测辐射热计(10)；
2.根据权利要求1所述的红外探测器芯片晶圆，其特征在于，所述通孔(5)内还设有位于所述绝缘层(6)与所述导电材料(7)之间的黏附阻挡层(8)。
3.根据权利要求2所述的红外探测器芯片晶圆，其特征在于，所述通孔(5)内还设有位于所述黏附阻挡层(8)和所述导电材料(7)之间的种子层(9)。
4.根据权利要求1所述的红外探测器芯片晶圆，其特征在于，所述导电结构包括位于所述通孔(5)处的第一导电结构(11)；
5.根据权利要求4所述的红外探测器芯片晶圆，其特征在于，所述第一导电结构(11)包括第一金属化层(111)、位于所述第一金属化层(111)下表面的第一焊料(112)。
6.根据权利要求4所述的红外探测器芯片晶圆，其特征在于，所述第二导电结构(12)包括位于所述衬底晶圆(1)下表面除所述通孔(5)处之外的位置处的第一pi层(121)、从所述通孔(5)处延伸至所述通孔(5)外的第二金属化层(122)、位于所述第二金属化层(122)下表面的再布线层(125)、位于所述再布线层(125)下表面的预设区域处的第三金属化层、位于所述第三金属化层下表面的第二焊料(123)、位于所述第一pi层(121)下表面未设置所述第二金属化层(122)处及所述再布线层(125)下表面未设置所述第二焊料(123)处的第二pi层(124)；
7.根据权利要求1所述的红外探测器芯片晶圆，其特征在于，所述集成电路(4)包括cmos区(41)、多层...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘继伟，李松华，刘向宏，胡汉林，王兴祥，
申请(专利权)人：烟台睿创微纳技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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