【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及mems芯片,特别涉及一种mems芯片封装结构及其制造方法。
技术介绍
1、微机电系统(mems,micro-electro-mechanical system),也叫做微电子机械系统、微系统、微机械等,指尺寸在几毫米乃至更小的装置。微机电系统是集微传感器、微执行器、微机械结构、微电源微能源、信号处理和控制电路、高性能电子集成器件、接口、通信等于一体的微型器件或系统。
2、mems芯片一般为薄膜结构,工作过程产生机械振动,该结构对应力比较敏感。现有封装方式将mems芯片和pcb板通过胶水粘结到一起,由于三种材料热膨胀系数不同,导致封装产品经热制程后会产生较大应力差。胶水热固化产生的应力会转移到mems芯片上,从而影响到mems芯片内薄膜结构的正常工作,进而造成产品的性能低下或功能失效的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的实施例提供一种mems芯片封装结构及其制造方法,以减小通过支撑体传递至mems芯片上的应力大小,避免应力影响mems芯片的正常工作。
【技术保护点】
1.一种MEMS芯片封装结构的制造方法,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的MEMS芯片封装结构的制造方法,其特征在于,
3.如权利要求1所述的MEMS芯片封装结构的制造方法,其特征在于,
4.如权利要求1所述的MEMS芯片封装结构的制造方法,其特征在于,在所述提供具有焊盘的基板后,在所述基板设有所述焊盘的一侧形成止挡结构;
5.如权利要求4所述的MEMS芯片封装结构的制造方法,其特征在于,形成所述止挡结构的方法包括:在所述基板设有所述焊盘的一侧形成止挡层,对所述止挡层图案化处理以形成所述止挡结构。
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...【技术特征摘要】
1.一种mems芯片封装结构的制造方法,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的mems芯片封装结构的制造方法,其特征在于,
3.如权利要求1所述的mems芯片封装结构的制造方法,其特征在于,
4.如权利要求1所述的mems芯片封装结构的制造方法,其特征在于,在所述提供具有焊盘的基板后,在所述基板设有所述焊盘的一侧形成止挡结构;
5.如权利要求4所述的mems芯片封装结构的制造方法,其特征在于,形成所述止挡结构的方法包括:在所述基板设有所述焊盘的一侧形成止挡层,对所述止挡层图案化处理以形成所述止挡结构。
6.如权利要求4所述的mems芯片封装结构的制造方法,其特征在于,所述临时结构层具有第一厚度t1,所述止挡结构具有第一高度h1,满足,2μm≤h1≤18μm,2μm≤t1≤20μm,h1小于t1。
7.如权利要求1所述的mems芯片封装结构的制造方法,其特征在于,形成所述临时结构层的方法包括:
8.如权利要求1所述的mems芯片封装结构的制造方法,其特征在于,所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:张春伟,曹兴龙,
申请(专利权)人:苏州园芯微电子技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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