【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片制造，特别涉及一种芯片组件的制作方法。
技术介绍
1、缩窄芯片切割道的宽度是缩小芯片尺寸的有效手段之一，特别是对于小尺寸芯片而言，如将一个切割道为50um宽的0.25*0.25mm尺寸的小芯片的切割道缩窄到10um，单片晶圆上的芯粒数量将增加25％，这能有效降低单个芯片的晶圆生产工艺成本。
2、切割道是留给晶圆划片分离成单个芯片的物理空间，使用刀具切割晶圆是目前半导体界大规模量产使用的工艺方法，由于切割刀具有一定的厚度且切割过程中会对切痕周边带来一定的物理损伤破坏，所以一般切割道宽度不能太小，50um切割道宽度是目前业界在保证刀具切割质量情况下所能使用的最窄宽度。然而，切割道区域占据了晶圆表面的面积，减少了晶圆能切割出的芯片组件数量。
技术实现思路
1、本专利技术的实施例提供一种芯片组件的制作方法，以实现半导体晶片背面金属化的同时，又能采用刻蚀工艺使芯片组件分离，减少切割道占据半导体晶片的面积，提高单位半导体晶片所能切除芯片组件的数量。
2、为了解...
【技术保护点】
1.一种芯片组件的制作方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的芯片组件的制作方法，其特征在于，所述第一凹槽具有第一宽度w1，所述第二凹槽具有第二宽度w2，满足：2μm≤w1≤20μm，6μm≤w2≤50μm，且w2≥w1。
3.如权利要求2所述的芯片组件的制作方法，其特征在于，
4.如权利要求3所述的芯片组件的制作方法，其特征在于，部分半导体器件单元伸入所述半导体晶片内，所述部分半导体器件单元的第三厚度t3，满足：d1＞t3。
5.如权利要求1所述的芯片组件的制作方法，其特征在于，在所述对所述半导体晶片的本体进行...
【技术特征摘要】
1.一种芯片组件的制作方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的芯片组件的制作方法，其特征在于，所述第一凹槽具有第一宽度w1，所述第二凹槽具有第二宽度w2，满足：2μm≤w1≤20μm，6μm≤w2≤50μm，且w2≥w1。
3.如权利要求2所述的芯片组件的制作方法，其特征在于，
4.如权利要求3所述的芯片组件的制作方法，其特征在于，部分半导体器件单元伸入所述半导体晶片内，所述部分半导体器件单元的第三厚度t3，满足：d1＞t3。
5.如权利要求1所述的芯片组件的制作方法，其特征在于，在所述对所述半导体晶片的本体进行减薄处理的步骤后的所述半导体晶片的第二厚度t2,满足：50μm≤t2≤200μm。
6.如权利要求1所述的芯片组件的制作方法，其特征在于，还包括：
7.如权利要求6所述的芯片组件的制作方法，其特征在于，所述保护层的材质包括二氧化硅或者氮化硅材质中的至少一种。
8.如权利要求1所述的芯片组件的制作方法，其特征在于，所述将所述半导体晶片的具有所述第一凹槽的一侧与承载基板进行临时键合的方法包括：将所述半导体晶片的具有所述第一凹槽的一侧通过临时键合膜与承载基板进行临时键合；
【专利技术属性】
技术研发人员：张春伟，曹兴龙，
申请(专利权)人：苏州园芯微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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