【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于埋容材料，具体涉及一种树脂组合物、涂树脂铜箔及其应用。
技术介绍
1、随着集成电路朝着超大规模、超高速、高密度、大功率、高精度、多功能的方向迅速发展，被动元件的嵌入化是提高系统集成度和小型化的一种有效途径，成为近年来的研究热点。被动元件中电容器约占电路板组装无源器件总数的40％-70％，因而埋容技术受到更加广泛的关注。
2、埋入式电容器需要具有薄的介质层厚度和较高的介电常数，从而获得更高的电容密度。提升介电常数的主要方法是在介质层中加入大量的高介电陶瓷填料；而为了制备薄的介质层，例如3μm、6μm的介质层等，则需要采用超细高介电填料，即将高介电陶瓷填料的粒径降至纳米级或亚微米级。但是，基材中采用高填充超细填料提高介电常数时，常常会带来填料分散困难、埋容板材的柔韧性变差、介质层力学性能差、板材加工性差、在多层印制电路板(pcb)加工的双面蚀刻工序中会造成介质层破裂的问题。
3、为了解决埋入式电容器用介质材料力学性能的问题，wo03011589a1公开了一种电容器层形成用的双面覆铜箔层合板，在两面的外层上设有作为导电体的铜箔层、两个铜箔层之间夹有作为介电体的树脂层，所述树脂层为热固性树脂层/耐热性薄膜层/热固性树脂层的三层结构，中间加入的耐热性薄膜层作为支撑材料，能够提高埋容材料的强度、改善脆性和力学性能；但是，由于使用了介电常数低的有机薄膜作为中间夹层，其获得的埋容材料的介电常数不高，严重影响了电容器的电容密度；并且有机薄膜卤素含量超标，不能满足目前电子产品对无卤的要求。cn101974205
4、目前用于埋入式电容器的介质材料普遍存在介电常数不高的问题，限制了电容器的电容密度；而介质材料介电常数的提高往往伴随着脆性增大、力学性能不足、蚀刻加工性降低的问题，尤其无法满足pcb双面蚀刻的工艺需求。因此，开发具有高介电常数、优良力学性能和能够满足pcb双面蚀刻工艺的介质材料，是本领域亟待解决的问题。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种树脂组合物、涂树脂铜箔及其应用，通过设计高长径比的高介电常数填料，并将其与热固性树脂复配，使所述树脂组合物具有高介电常数、优异的力学强度和韧性，能够充分满足双面蚀刻的工艺要求。
2、为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
3、第一方面，本专利技术提供一种树脂组合物，所述树脂组合物以质量份计包括如下组分：
4、热固性树脂 20-50份
5、高介电常数填料 50-80份；
6、所述热固性树脂包括环氧树脂；
7、所述高介电常数填料的直径为0.01-1μm，长度为5-100μm；所述高介电常数填料在1khz的介电常数≥50。
8、本专利技术设计了直径为0.01-1μm、长度为5-100μm、具有高长径比的高介电常数填料，不仅提供高介电常数，而且对树脂体系具有增强增韧的效果；特定的高介电常数填料与热固性树脂复配并相互协同，使所述树脂组合物兼具高介电常数、优异的力学强度、高韧性以及优异的蚀刻加工性能，能够充分满足pcb双面蚀刻工艺的强度要求，适用于高电容密度的埋容材料。
9、以下作为本专利技术的优选技术方案，但不作为对本专利技术提供的技术方案的限制，通过以下优选的技术方案，可以更好的达到和实现本专利技术的目的和有益效果。
10、本专利技术的树脂组合物中，所述热固性树脂的质量份为20-50份，例如可以为22份、25份、28份、30份、32份、35份、38份、40份、42份、45份或48份，以及上述点值之间的具体点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本专利技术不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
11、所述高介电常数填料的质量份为50-80份，例如可以为52份、55份、58份、60份、62份、65份、68份、70份、72份、75份或78份，以及上述点值之间的具体点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本专利技术不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
12、所述高介电常数填料的直径为0.01-1μm，例如可以为0.02μm、0.05μm、0.08μm、0.1μm、0.2μm、0.3μm、0.4μm、0.5μm、0.6μm、0.7μm、0.8μm、0.9μm或0.95μm，以及上述点值之间的具体点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本专利技术不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
13、所述高介电常数填料的长度为5-100μm，例如可以为10μm、20μm、30μm、40μm、50μm、60μm、70μm、80μm或90μm，以及上述点值之间的具体点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本专利技术不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
14、本专利技术中，高介电常数填料的粒径采用ms3000马尔文激光粒度仪测试得到；高介电常数填料的长度和直径采用扫描电子显微镜测量100个的填料长度和直径，计算这100个填料的长径比的平均值获得。
15、所述高介电常数填料在1khz的介电常数≥50，例如可以为60、100、150、180、200、250、280、300、320、350、400、4450、500、600、700、800、900、1000、2000、2500、3000、4000、4500、5000、5500、6000、6500、7000、8000、9000、9500、10000、12000、13000、14000或15000，以及上述点值之间的具体点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本专利技术不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
16、示例性地，本专利技术中高介电常数填料的介电常数(dk)采用低频电桥法测试得到，测试条件为a态，测试设备为安捷伦e4980a精密数字电桥。
17、优选地，所述高介电常数填料的长径比＞10，例如长径比可以为20、30、40、50、60、70、80、90、100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、2000、3000、4000、5000、6000、7000、8000、9000或10000，以及上述点值之间的具体点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本专利技术不再穷尽列举所述范围包括的具体点值，进一步优选50-10000。
18、优选地，所述高介电常数填料包括钛酸锶、钛酸锶钡、二氧化钛、钛酸钙、钛酸钙钡、钛酸锆铅、钛酸铅-铌酸镁、钛酸钡中的任意一种或至少两种的组合，进一步优选钛酸锶、二氧化钛、钛酸钡中的任意一种或至少两种的组合。
19、优选地，所述高介电常数填料包括经过表面处理的高介电常数填料。
20、优选地，所述表面处理的表面处理剂包括硅烷偶联剂、硼酸酯偶联剂、锆酸酯偶联剂、磷酸酯本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种树脂组合物，其特征在于，所述树脂组合物以质量份计包括如下组分：
2.根据权利要求1所述的树脂组合物，其特征在于，所述高介电常数填料包括钛酸锶、钛酸锶钡、二氧化钛、钛酸钙、钛酸钙钡、钛酸锆铅、钛酸铅-铌酸镁、钛酸钡中的任意一种或至少两种的组合，优选钛酸锶、二氧化钛、钛酸钡中的任意一种或至少两种的组合；
3.根据权利要求1或2所述的树脂组合物，其特征在于，所述高介电常数填料包括经过表面处理的高介电常数填料；
4.根据权利要求1-3任一项所述的树脂组合物，其特征在于，所述环氧树脂的熔融粘度≤100Pa·s，优选≤50Pa·s；
5.根据权利要求1-4任一项所述的树脂组合物，其特征在于，所述树脂组合物以质量份计还包括1-5份增韧剂；
6.根据权利要求1-5任一项所述的树脂组合物，其特征在于，所述树脂组合物中还包括固化剂和/或固化促进剂；
7.一种涂树脂铜箔，其特征在于，所述涂树脂铜箔包括铜箔层和树脂层，所述树脂层的材料包括如权利要求1-6任一项所述的树脂组合物。
8.根据权利要求7所述的涂树脂铜箔
9.一种覆金属箔板，其特征在于，所述覆金属箔板包括至少一张如权利要求7或8所述的涂树脂铜箔；
10.一种印制电路板，其特征在于，所述印制电路板包括如权利要求7或8所述的涂树脂铜箔、如权利要求9所述的覆金属箔板中的至少一种。
...【技术特征摘要】
1.一种树脂组合物，其特征在于，所述树脂组合物以质量份计包括如下组分：
2.根据权利要求1所述的树脂组合物，其特征在于，所述高介电常数填料包括钛酸锶、钛酸锶钡、二氧化钛、钛酸钙、钛酸钙钡、钛酸锆铅、钛酸铅-铌酸镁、钛酸钡中的任意一种或至少两种的组合，优选钛酸锶、二氧化钛、钛酸钡中的任意一种或至少两种的组合；
3.根据权利要求1或2所述的树脂组合物，其特征在于，所述高介电常数填料包括经过表面处理的高介电常数填料；
4.根据权利要求1-3任一项所述的树脂组合物，其特征在于，所述环氧树脂的熔融粘度≤100pa·s，优选≤50pa·s；
5.根据权利要求1-4任一项所述的树脂组合物，其特征在于，所述树脂组合物以质量份...
【专利技术属性】
技术研发人员：柴颂刚，郝良鹏，梁伟，莫子杰，
申请(专利权)人：广东生益科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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