【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请与2021年8月5日向日本特许厅提出的日本专利申请特愿2021-128850号对应，本申请的所有公开通过引用而并入本文中。本专利技术涉及一种半导体器件。
技术介绍
1、专利文献1中公开有一种半导体器件，其包含p型半导体层、第1沟槽结构、多个n型漂移层和多个n型漏极源极区域。第1沟槽结构形成在p型半导体层的主面。多个n型漂移层在p型半导体层的主面的表层部中分别形成在第1沟槽结构的两侧。多个n型漏极源极区域分别形成在多个漂移层的表层部。晶体管的沟道形成在沿着第1沟槽结构的底部的区域。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：美国专利申请公开第2007/0145474号说明书。
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、一实施方式提供一种具有新颖结构的半导体器件。
3、用在解决问题的技术手段
4、一实施方式提供一种半导体器件，其包括：芯片，其具有一侧的第1主面和另一侧的第2主面；第1导电型的第1半导体区域，其在所述芯片内形成在所述第1主面侧的区域；第2导电型的第2半导体区域，其在所述芯片内形成在比所述第1半导体区域靠所述第2主面侧的区域；第1槽结构，其包含第1槽、控制绝缘膜和控制电极，所述第1槽以在剖视时将所述第1半导体区域划分成一侧的第1区域和另一侧的第2区域的方式，贯通所述第1半导体区域地形成在所述第1主面，所述控制绝缘膜覆盖所述第1槽的内壁，所述控制电极以能够控制所述第2半导体区域中的沟道的方式
5、上述以及此外的其他目的、特征和效果能够通过参照随附的附图所说明的实施方式而明确。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：
3.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于：
4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于：
6.如权利要求4或5所述的半导体器件，其特征在于：
7.如权利要求4～6中任一项所述的半导体器件，其特征在于：
8.如权利要求1～7中任一项所述的半导体器件，其特征在于：
9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于：
10.如权利要求8或9所述的半导体器件，其特征在于：
11.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于：
12.如权利要求1～11中任一项所述的半导体器件，其特征在于：
13.如权利要求12所述的半导体器件，其特征在于：
14.如权利要求12或13所述的半导体器件，其特征在于：
15.如权利要求1～14中任一项所述的半导体器件，其特征在于：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：
3.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于：
4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于：
6.如权利要求4或5所述的半导体器件，其特征在于：
7.如权利要求4～6中任一项所述的半导体器件，其特征在于：
8.如权利要求1～7中任一项所述的半导体器件，其特征在于：
9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于：
10.如权利要求8或9所述的半导体器件，其特征在于：
11.如权利要求10所述的半...
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