【技术实现步骤摘要】
本申请涉及硅片厚度检测,具体涉及一种基于衍射元件的对射光谱共焦测厚系统及方法。
技术介绍
1、在现代高科技产业中,硅片的重要性显而易见。作为半导体设备的核心元件,硅片在集成电路、太阳能电池板、微处理器等关键领域得到广泛应用。科技迅猛发展使得对硅片质量的要求不断提升,尤其是在厚度测量上。硅片的厚度直接影响着芯片的性能与可靠性。例如,在太阳能行业中,硅片的厚度对光电转换效率有显著影响。同时,在集成电路制造中,厚度的一致性对于电路的稳定性和性能至关重要。当前,硅片厚度的标准范围大致在200微米至300微米之间,对于高性能应用,例如高速、低功耗的微处理器,这一指标更是严格。在硅片制造过程中,厚度的偏差超过标准的5%可能会导致成品率的显著下降。因此,发展高精度、高效的硅片厚度测量技术,对于提升产品质量、降低生产成本、增强市场竞争力至关重要。
2、光谱共焦测量技术因其高精度、高灵敏性、便携性以及轻量化等特征,在机械制造、生命科学、电子制造和化工及材料科学等众多领域得到广泛应用。光谱共焦测量技术的发展旨在提供更高效、精准且非接触式的测量方
...【技术保护点】
1.一种基于衍射元件的对射光谱共焦测厚系统,其特征在于,包括第一光谱共焦系统、第二光谱共焦系统和电脑;
2.根据权利要求1所述的基于衍射元件的对射光谱共焦测厚系统,其特征在于,所述第一光谱共焦探头、所述第一光线耦合器、所述第一光源和所述第一光谱仪之间通过第一Y型光纤连接;所述第二光谱共焦探头、所述第二光线耦合器、所述第二光源和所述第二光谱仪之间通过第二Y型光纤连接。
3.根据权利要求1所述的基于衍射元件的对射光谱共焦测厚系统,其特征在于,所述第一光谱仪和所述电脑通过第一网线连接,所述第二光谱仪与所述电脑通过第二网线连接。
4.根据权
...【技术特征摘要】
1.一种基于衍射元件的对射光谱共焦测厚系统,其特征在于,包括第一光谱共焦系统、第二光谱共焦系统和电脑;
2.根据权利要求1所述的基于衍射元件的对射光谱共焦测厚系统,其特征在于,所述第一光谱共焦探头、所述第一光线耦合器、所述第一光源和所述第一光谱仪之间通过第一y型光纤连接;所述第二光谱共焦探头、所述第二光线耦合器、所述第二光源和所述第二光谱仪之间通过第二y型光纤连接。
3.根据权利要求1所述的基于衍射元件的对射光谱共焦测厚系统,其特征在于,所述第一光谱仪和所述电脑通过第一网线连接,所述第二光谱仪与所述电脑通过第二网线连接。
4.根据权利要求1所述的基于衍射元件的对射光谱共焦测厚系统,其特征在于,所述第一光源和所述第二光源...
【专利技术属性】
技术研发人员:李志松,张浩杰,宋金龙,
申请(专利权)人:法博思宁波半导体设备有限公司,
类型:发明
国别省市:
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