【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体晶圆加工工艺，具体涉及一种半导体晶圆基底清洗方法。
技术介绍
1、集成电路芯片制造是半导体产业链下游的关键环节。随着集成电路关键尺寸的逐渐缩小，产业界对于芯片制造的工艺要求也越来越高。其中，晶圆上各类材料经过刻蚀或灰化等工艺后，对晶圆表面蚀刻后残留物进行去除，是保持后续工艺稳定进行，保证芯片成品性能、良率和可靠性的关键技术。
2、在铝(al)或铝/铜(cu)金属化基底的微电子组件后段(back-end ofline)制备过程中，一个必不可少的步骤就是在芯片基底上沉积光阻薄膜，然后以光阻作为屏蔽(mask)形成电路图案，经过烘烤、显影之后，然后经由反应性等离子体蚀刻气体将所得到的图案转移至底层基底材料(电解质或金属层)。在等离子体蚀刻过程中，由于等离子体气体，蚀刻基底材料和光阻的相互作用，会在蚀刻基底的侧壁或周围形成蚀刻残余物，同时也会造成光阻屏蔽材料的交联，进而更加难以去除。
3、这些残留物需要通过特殊的清洗剂来进行清除，为了保证晶圆的洁净度与完整性，在清除时不仅要求清洗剂能够完全去除所有的残...
【技术保护点】
1.一种半导体晶圆基底清洗方法，其特征在于，将蚀刻去光阻后的图案化晶圆浸泡在洗液中，取出再以去离子水洗涤，其中，按重量份数计，所述洗液具有如下的组分组成：
2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆基底清洗方法，其特征在于，所述有机胺为羟胺、四甲基氢氧化胺、四乙基氢氧化胺或有机醇胺。
3.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆基底清洗方法，其特征在于，所述缓蚀剂为三氮唑类缓蚀剂或脂肪酸，所述三氮唑类缓释剂包括1,2,4-三氮唑、苯并三氮唑、1H-1,2,3-三氮唑、5-甲基苯并三氮唑或5-羟基苯并三氮唑，所述脂肪酸包括正辛酸、正癸酸、正十二烷基羧酸、油
...【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆基底清洗方法，其特征在于，将蚀刻去光阻后的图案化晶圆浸泡在洗液中，取出再以去离子水洗涤，其中，按重量份数计，所述洗液具有如下的组分组成：
2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆基底清洗方法，其特征在于，所述有机胺为羟胺、四甲基氢氧化胺、四乙基氢氧化胺或有机醇胺。
3.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆基底清洗方法，其特征在于，所述缓蚀剂为三氮唑类缓蚀剂或脂肪酸，所述三氮唑类缓释剂包括1,2,4-三氮唑、苯并三氮唑、1h-1,2,3-三氮唑、5-甲基苯并三氮唑或5-羟基苯并三氮唑，所述脂肪酸包括正辛酸、正癸酸、正十二烷基羧酸、油酸或亚油酸。
4.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆基底清洗方法，其特征在于，所述缓释剂为过氧化铜纳米点和/或烷基过氧化物，所述烷基过氧化物为叔丁基过氧化氢或叔丁基过氧化氢的金属有机配合衍生物。
5.根据权利要求4所...
【专利技术属性】
技术研发人员：余毅，李彦庆，郭同健，叶武阳，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。