欧姆接触结构及其制备方法、GaN HEMT器件技术

本申请涉及一种欧姆接触结构及其制备方法、GaN HEMT器件，通过提供外延片，外延片包括依次层叠设置的衬底、沟道导电层、势垒层和保护层，继而，在外延片上形成光刻胶图形层，光刻胶图形层位于保护层背离势垒层的一侧，光刻胶图形层开设有第一欧姆接触窗口；继而，将形成有光刻胶图形层的外延片浸入酸性溶液中，并在光刻胶图形层所在侧采用紫外激光对形成有光刻胶图形层的外延片进行照射，以刻蚀形成第二欧姆接触窗口，其中，酸性溶液的酸度系数大于10<supgt;‑4</supgt;，第二欧姆接触窗口与第一欧姆接触窗口连通并暴露出沟道导电层；最后，在第二欧姆接触窗口内形成欧姆接触电极，如此，使得欧姆接触电阻极低，刻蚀形成第二欧姆接触窗口的效率极高。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及宽带隙半导体，特别是涉及一种欧姆接触结构及其制备方法、gan hemt器件。

技术介绍

1、氮化镓（gan）基高电子迁移率晶体管（high electron mobility transistors,hemts）由于具有优异的击穿电压及导通电阻，在电力电子和射频微波领域具有明显应用优势。在gan hemt器件的制备过程中，源极和漏极需要形成良好的欧姆接触，以降低总体器件的导通电阻，带来更高的电流密度。

2、相关技术中欧姆接触的制备方法有：

3、（1）高温退火合金欧姆接触制备技术：在源极、漏极区域沉积ti/al/ni/au叠层金属，然后将器件在800-1000℃高温下进行快速热退火，可实现源极、漏极的欧姆接触。此方法为传统欧姆接触制备方法，由于algan势垒层的存在，制备的欧姆接触电阻较大，且制备过程中需经理800-1000℃的高温退火，导致器件翘曲及内部应力较大，极高温工艺同时限制了工艺的灵活性和兼容性。

4、（2）离子注入激活欧姆接触制备技术：通过向半导体基底注入si离子形成注入区，蚀刻介质层形成位于注入区范本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种欧姆接触结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第二欧姆接触窗口内形成欧姆接触电极，包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述酸性溶液为草酸溶液。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述草酸溶液的浓度大于0.1g/mL。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述紫外激光的波长小于360nm。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述紫外激光的光功率大于5W/cm2...

【技术特征摘要】

1.一种欧姆接触结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第二欧姆接触窗口内形成欧姆接触电极，包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述酸性溶液为草酸溶液。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述草酸溶液的浓度大于0.1g/ml。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：王宏跃，柳月波，
申请(专利权)人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所工业和信息化部电子第五研究所中国赛宝实验室，
类型：发明
国别省市：