光检测器制造技术

本发明专利技术提供一种光检测器，受光部和外围部设置在半导体基板，所述受光部包括：N型的第一区域；P型的第二半导体层；和P型的第一半导体层，所述第一区域、所述第二半导体层、所述第一半导体层按照所述第一区域、所述第二半导体层、所述第一半导体层的顺序层叠，所述第一半导体层中的P型的杂质浓度的最大值比所述第二半导体层中的P型的杂质浓度的最大值高，所述外围部包括：P型的第一阱；N型的第三阱；和所述第一半导体层，所述第三阱在从截面观察时包围所述第一阱的侧部和底部的整体。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种光检测器，尤其涉及一种包含雪崩光电二极管的光检测器。

技术介绍

1、近年来，在医疗、通信、生物、化学、监视、车载、放射线检测等多个领域中，利用高灵敏度的光检测器。作为用于实现高灵敏度的方案之一，使用雪崩光电二极管(avalanchephoto diode：以下，称为apd)。apd是一种光电二极管，其利用雪崩击穿对入射到光电转换层的光通过发生光电转换而产生的信号电荷进行倍增，由此提高光的检测灵敏度。通过使用apd，用极小的光子数量也能进行检测。

2、专利文献1中，公开了一种在互相相邻的apd之间具有分离区域的apd阵列(例如，参照专利文献1)。

3、该分离区域由从半导体基板的主面向内部延伸的p型半导体层构成，并且，该p型半导体层的电位与半导体基板的电位、即接地电位(以下，称为gnd电位)相等。此外，在该p型半导体层的内部设置有n型场效应晶体管(以下，称为n型misfet)。而且，在p型半导体层或者apd之间的区域形成n阱，在其内部设置p型场效应晶体管(以下，称为p型misfet)。

4、专利文献1：日本公开本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光检测器，受光部和外围部设置在半导体基板，

2.根据权利要求1所述的光检测器，其中，

3.根据权利要求2所述的光检测器，其中，

4.根据权利要求2所述的光检测器，其中，

5.根据权利要求1～4任一项所述的光检测器，其中，

6.根据权利要求4所述的光检测器，其中，

7.一种光检测器，受光部和外围部设置在半导体基板，

8.一种光检测器，受光部和外围部设置在半导体基板，

9.一种光检测器，外围电路和具有一个以上的雪崩光电二极管的受光部设置在半导体基板，

10.根据权利要求9所述的...

【技术特征摘要】

1.一种光检测器，受光部和外围部设置在半导体基板，

2.根据权利要求1所述的光检测器，其中，

3.根据权利要求2所述的光检测器，其中，

4.根据权利要求2所述的光检测器，其中，

5.根据权利要求1～4任一项所述的光检测器，其中，

6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：可部达也，新井秀幸，相川恒，杉浦裕树，井上晓登，森三佳，中西贤太郎，坂田祐辅，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：