【技术实现步骤摘要】
本公开总体上涉及集成电路器件领域，更具体地，涉及包括背面配电网络(bspdn)结构的集成电路器件。
技术介绍
1、已经提出了集成电路器件的各种结构和形成其的方法，以增加集成电路器件的集成密度。具体地，已经提出了包括形成在衬底中或形成在衬底的背面上的元件的集成电路器件，以简化器件制造的中段(mol)部分和/或后段(beol)部分。
技术实现思路
1、根据一些实施方式的一种形成集成电路器件的方法可以包括：提供衬底结构，衬底结构包括衬底、在衬底上的底部绝缘体、以及在衬底和底部绝缘体之间的半导体区，半导体区在第一方向上延伸；在底部绝缘体上形成第一初步晶体管结构和第二初步晶体管结构，其中第一初步晶体管结构和第二初步晶体管结构可以在第一方向上彼此间隔开，底部绝缘体可以包括第一部分和第二部分以及在第一部分和第二部分之间的第三部分，第一初步晶体管结构和第二初步晶体管结构分别与第一部分和第二部分重叠；用底部半导体层替换底部绝缘体的第三部分；在第一初步晶体管结构和第二初步晶体管结构之间以及在底部半导体层上形成源极/漏极区；用背面绝缘体替换衬底和半导体区；在背面绝缘体中形成电源接触，其中源极/漏极区可以与电源接触重叠；以及形成电源轨，其中电源接触可以在源极/漏极区和电源轨之间。
2、根据一些实施方式的一种形成集成电路器件的方法可以包括：提供衬底结构，衬底结构包括半导体区和在半导体区上的底部绝缘体；形成可在底部绝缘体上并可在第一方向上彼此间隔开的第一初步晶体管结构和第二初步晶体管结构，底部绝缘
3、根据一些实施方式的一种集成电路器件可以包括：背面绝缘体；晶体管，可在背面绝缘体上并可包括源极/漏极区和栅极结构；底部绝缘体，在晶体管和背面绝缘体之间延伸并包括接触背面绝缘体的下表面；以及电源接触结构，可包括延伸穿过背面绝缘体的下部和可延伸穿过底部绝缘体并可接触源极/漏极区的下表面的上部。源极/漏极区的下表面可以在第一方向上具有第一宽度，源极/漏极区和电源接触结构之间的界面可以在第一方向上具有第二宽度，第一宽度可以比第二宽度宽，底部绝缘体的一部分可以将源极/漏极区与电源接触结构的下部分离。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种形成集成电路器件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中用所述底部半导体层替换所述底部绝缘体的所述第三部分包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中在所述底部开口中形成所述底部半导体层包括使用所述半导体区作为籽晶层生长所述底部半导体层。
4.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一初步晶体管结构包括面对所述第二初步晶体管结构的第一侧表面，所述第二初步晶体管结构包括面对所述第一初步晶体管结构的第二侧表面，
5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括用所述背面绝缘体的一部分替换所述底部半导体层，
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述源极/漏极区的所述下表面在所述第一方向上具有第一宽度，所述源极/漏极区和所述电源接触之间的界面在所述第一方向上具有第二宽度，所述第一宽度比所述第二宽度宽。
7.根据权利要求1所述的方法，其中在所述背面绝缘体中形成所述电源接触包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述源极/漏极区的所述下表面在所述第一方向上具有第一宽度，所述源极/漏极区和所述底部半
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述电源接触在所述第一方向上的宽度随着距所述源极/漏极区的距离增加而增加。
10.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在用所述背面绝缘体替换所述衬底和所述半导体区之前，在所述源极/漏极区上形成包括导电布线的后段结构。
11.一种形成集成电路器件的方法，所述方法包括：
12.根据权利要求11所述的方法，其中用所述底部半导体层替换所述底部绝缘体的所述第三部分包括：
13.根据权利要求11所述的方法，进一步包括用背面绝缘体替换所述底部半导体层和所述半导体区，
14.根据权利要求11所述的方法，进一步包括用背面绝缘体替换所述半导体区，
15.根据权利要求11所述的方法，进一步包括在形成所述电源接触之前，在所述源极/漏极区上形成包括导电布线的后段结构。
16.一种集成电路器件，包括：
17.根据权利要求16所述的集成电路器件，其中所述电源接触结构的所述下部在所述第一方向上的宽度随着距所述源极/漏极区的距离增加而增加。
18.根据权利要求17所述的集成电路器件，进一步包括包含导电布线的后段结构，其中所述源极/漏极区在所述后段结构和所述电源接触结构之间。
19.根据权利要求16所述的集成电路器件，其中所述电源接触结构的所述下部包括金属层，所述电源接触结构的所述上部包括半导体层。
20.根据权利要求16所述的集成电路器件，其中所述电源接触结构的所述上部和所述下部分别包括单个金属层的部分。
...【技术特征摘要】
1.一种形成集成电路器件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中用所述底部半导体层替换所述底部绝缘体的所述第三部分包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中在所述底部开口中形成所述底部半导体层包括使用所述半导体区作为籽晶层生长所述底部半导体层。
4.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一初步晶体管结构包括面对所述第二初步晶体管结构的第一侧表面，所述第二初步晶体管结构包括面对所述第一初步晶体管结构的第二侧表面，
5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括用所述背面绝缘体的一部分替换所述底部半导体层，
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述源极/漏极区的所述下表面在所述第一方向上具有第一宽度，所述源极/漏极区和所述电源接触之间的界面在所述第一方向上具有第二宽度，所述第一宽度比所述第二宽度宽。
7.根据权利要求1所述的方法，其中在所述背面绝缘体中形成所述电源接触包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述源极/漏极区的所述下表面在所述第一方向上具有第一宽度，所述源极/漏极区和所述底部半导体层之间的界面在所述第一方向上具有第三宽度，所述第一宽度比所述第三宽度宽。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述电源接触在所述第一方向上的宽度随着距所述源极/漏极区的距离增加而增加。
10.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：李钟振，金泰善，洪元赫，尹承灿，徐康一，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。