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集成电路器件和形成其的方法技术
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文档序号:40766093
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提供了集成电路器件和形成其的方法。该方法可以包括:提供衬底结构,衬底结构包括衬底、底部绝缘体、以及在衬底和底部绝缘体之间的半导体区,半导体区在第一方向上延伸;在底部绝缘体上形成第一初步晶体管结构和第二初步晶体管结构,其中底部绝缘体可以包括第...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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