【技术实现步骤摘要】
本申请总地涉及具有用于集成电路(ic)封装(诸如片上系统封装(soc))的电源结构的晶粒(die)，更具体地，涉及具有用于图形处理单元(gpu)和soc封装的嵌入式电源结构的晶粒。
技术介绍
1、gpu和soc技术的两个持续趋势是使用更小的片上晶体管和在芯片上使用越来越多的晶体管，导致晶体管占据的芯片面积或密度增加。随着晶体管尺寸的减小和晶体管数量的增加，芯片晶粒互连层中互连线的宽度和厚度也相应减小，以互连更小尺寸和更多数量的晶体管。通常，为了实现每芯片更多数量的互连，使用更多的芯片互连层。通常，晶体管占据的芯片面积的增加会导致互连线的整体长度或平均长度增加。互连线的宽度和厚度的减小和长度的增加也会导致互连线的阻抗显著增加，这又会由于随着总图形功率(tgp)需求的增加提供足够的功率，以及处理增加的散热需求和防止信号完整性损失，而带来新的问题。
2、存在增加对芯片晶体管的功率分配以帮助避免提高芯片性能的瓶颈的持续需求。
技术实现思路
1、一个方面提供了一种包括晶粒体的晶粒。晶粒体...
【技术保护点】
1.一种晶粒，包括：
2.如权利要求1所述的晶粒，其中所述TSV的孔包含金属插塞。
3.如权利要求1所述的晶粒，其中所述孔的直径是0.001至1000微米范围内的值。
4.如权利要求1所述的晶粒，其中所述导电薄膜横穿所述第二体表面到所述晶粒体的侧边缘，并且所述晶粒体的所述侧边缘上的一个或更多个焊料凸块接触所述导电薄膜。
5.如权利要求1所述的晶粒，其中所述导电薄膜的厚度为1至1000微米范围内的值。
6.如权利要求1所述的晶粒，还包括晶粒衬底，其中所述晶粒体位于所述晶粒衬底的第一衬底表面上，一条或更多条衬底导...
【技术特征摘要】
1.一种晶粒，包括：
2.如权利要求1所述的晶粒，其中所述tsv的孔包含金属插塞。
3.如权利要求1所述的晶粒，其中所述孔的直径是0.001至1000微米范围内的值。
4.如权利要求1所述的晶粒，其中所述导电薄膜横穿所述第二体表面到所述晶粒体的侧边缘，并且所述晶粒体的所述侧边缘上的一个或更多个焊料凸块接触所述导电薄膜。
5.如权利要求1所述的晶粒，其中所述导电薄膜的厚度为1至1000微米范围内的值。
6.如权利要求1所述的晶粒，还包括晶粒衬底，其中所述晶粒体位于所述晶粒衬底的第一衬底表面上，一条或更多条衬底导线位于所述第一衬底表面上，并且引线键合将所述衬底导线电连接到所述导电薄膜。
7.如权利要求6所述的晶粒，其中所述引线键合的一端接触位于所述晶粒体的侧边缘上的第一焊料凸块，所述第一焊料凸块接触所述导电薄膜，并且所述引线键合的相对端接触所述第一衬底表面上的晶粒衬底焊料凸块，所述晶粒衬底焊料凸块接触所述衬底导线之一。
8.如权利要求6所述的晶粒，其中所述晶粒和所述晶粒衬底是ic封装的一部分，其中所述晶粒衬底安装到封装衬底，所述封装衬底包括封装导线并且所述封装导线电连接以形成到所述晶粒体的所述晶体管的第一电流通路，所述第一通路包括：所述衬底导线、所述引线键合、所述晶粒衬底焊料凸块、所述导电薄膜和所述晶粒体的所述电源区的所述tsv。
9.如权利要求8所述的晶粒，其中所述封装导线电连接以形成到所述晶粒体的所述晶体管的第二电流通路，所述第二通路包括：晶粒衬底焊球、晶粒衬底通孔和所述晶粒衬底的晶粒衬底安装焊盘，以...
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